[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法、固態(tài)攝像裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310010898.6
• 申請(qǐng)日: 2013-01-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103219344B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 脅山悟;尾崎裕司
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線(xiàn)層，該第一配線(xiàn)層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希?/p>

第二器件基板，包括第二半導(dǎo)體基板和第二配線(xiàn)層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線(xiàn)層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希?/p>

貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線(xiàn)層和該第二配線(xiàn)層彼此電連接；以及

絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中

該第一器件基板層疊在該第二器件基板上，

該貫通電極填充在通孔中該第一配線(xiàn)層和該第二配線(xiàn)層之間的區(qū)域，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線(xiàn)層直至該第二配線(xiàn)層的表面，并且

該絕緣層填充在該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一配線(xiàn)層具有構(gòu)成該通孔的一部分的開(kāi)口。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該通孔的內(nèi)壁全部由金屬薄膜覆蓋。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中對(duì)于該通孔的內(nèi)壁，僅與該貫通電極相對(duì)的區(qū)域由金屬薄膜覆蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該貫通電極包括銅和鎳之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括提供在該第一器件基板上的保護(hù)膜。

9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括：

將第一器件基板接合到第二器件基板，該第一器件基板包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線(xiàn)層，該第一配線(xiàn)層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希摰诙骷灏ǖ诙雽?dǎo)體基板和第二配線(xiàn)層，并且該第二配線(xiàn)層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希?/p>

形成貫通電極，該貫通電極貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線(xiàn)層和該第二配線(xiàn)層彼此電連接；以及

形成絕緣層，該絕緣層形成為與該貫通電極相對(duì)并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括在將該第一器件基板接合到該第二器件基板之后形成通孔，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線(xiàn)層直至該第二配線(xiàn)層的表面，

其中形成該貫通電極包括在形成的通孔中填充該第一配線(xiàn)層和該第二配線(xiàn)層之間的區(qū)域，并且

形成該絕緣層包括在形成該貫通電極之后，填充該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行無(wú)電鍍以形成該貫通電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該絕緣層包括：

在形成該貫通電極且在該通孔中填充該貫通電極上的區(qū)域之后，在該第一器件基板之上形成絕緣材料膜；以及

在形成該絕緣材料膜之后，拋光該絕緣材料膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行電鍍以形成該貫通電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在由淀積在該通孔中的鍍膜將該第一配線(xiàn)層和該第二配線(xiàn)層彼此連接之后且在該通孔被該鍍膜填滿(mǎn)之前停止進(jìn)行電鍍。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在該通孔中淀積鍍膜之后，選擇性地移除該鍍膜的在第一配線(xiàn)層上的區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該貫通電極包括銅和鎳之一。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。