[發(fā)明專利]一種修飾氧化銦錫陽極及其制備方法和有機電致發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310010897.1 | 申請日: | 2013-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN103928630A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;王平;馮小明;張娟娟 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 修飾 氧化 陽極 及其 制備 方法 有機 電致發(fā)光 器件 | ||
1.一種修飾氧化銦錫陽極,包括氧化銦錫陽極和修飾層,所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜,所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面,其特征在于,所述修飾層的物質(zhì)為如式(1)所示的化合物
式中,n=4、6、8或10。
2.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽極,其特征在于,所述修飾層為如式(1)所示的化合物形成的一層單分子薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽極,其特征在于,所述氧化銦錫薄膜的厚度為70~200nm。
4.一種修飾氧化銦錫陽極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供潔凈的氧化銦錫陽極,所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜;
將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為0.01~2mol/L的乙二胺溶液中,浸入2~10分鐘后,取出,干燥;
隨后,將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為2~10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中,浸泡5~20分鐘后,取出,氮氣吹干,即得修飾氧化銦錫陽極,所述修飾氧化銦錫陽極的氧化銦錫薄膜表面具有修飾層,所述修飾層的物質(zhì)為乙二胺與全氟脂肪酸反應(yīng)形成的如式(1)所示的化合物,
式中,n=4、6、8或10;
所述全氟脂肪酸的通式為CF3(CF2)n-COOH,其中,n=4、6、8或10。
5.如權(quán)利要求4所述的修飾氧化銦錫陽極的制備方法,其特征在于,所述乙二胺溶液的溶劑為甲醇、乙醇,異丙醇或正丁醇。
6.如權(quán)利要求4所述的修飾氧化銦錫陽極的制備方法,其特征在于,所述全氟脂肪酸溶液的溶劑為十一烷、十二烷、十四烷或十六烷。
7.如權(quán)利要求4所述的修飾氧化銦錫陽極的制備方法,其特征在于,所述干燥的具體操作為:在50~80℃下真空干燥12~24小時。
8.如權(quán)利要求4所述的修飾氧化銦錫陽極的制備方法,其特征在于,所述氧化銦錫薄膜的厚度為70~200nm。
9.一種有機電致發(fā)光器件,包括陽極、功能層、發(fā)光層和陰極,其特征在于,所述陽極為修飾氧化銦錫陽極,所述修飾氧化銦錫陽極包括氧化銦錫陽極和修飾層,所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜,所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面,所述修飾層的物質(zhì)為如式(1)所示的化合物,
式中,n=4、6、8或10。
10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述氧化銦錫薄膜的厚度為70~200nm。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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