[發(fā)明專利]制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310010890.X
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103247536A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林秀樹;增田健良
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種制造碳化硅半導(dǎo)體器件（100、100D）的方法，所述碳化硅半導(dǎo)體器件包括具有在厚度方向上彼此相反的第一表面（F1）和第二表面（F2）的碳化硅層（10），所述方法包括以下步驟：

制備構(gòu)成所述第一表面并且具有第一導(dǎo)電類型的第一層（5），

在與所述第一層的所述第一表面相反的面處，形成具有底部（BI）和側(cè)壁（SD）的內(nèi)部溝槽（IT），

將雜質(zhì)注入到所述內(nèi)部溝槽的所述側(cè)壁上，使得在所述內(nèi)部溝槽的所述側(cè)壁上，所述第一層的導(dǎo)電類型反轉(zhuǎn)，通過所述注入雜質(zhì)的步驟，從所述第一層形成位于所述內(nèi)部溝槽的所述側(cè)壁上并且具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)（14）和所述第一導(dǎo)電類型的非注入?yún)^(qū)（11a），

形成具有所述第一導(dǎo)電類型、填充所述內(nèi)部溝槽、并且與所述非注入?yún)^(qū)一起構(gòu)成第一區(qū)（11）的第二層（11b），通過所述形成第二層的步驟，所述注入?yún)^(qū)被嵌入在所述第一區(qū)中，

在所述第一區(qū)上，形成所述第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)（12）和所述第一導(dǎo)電類型的第三區(qū)（13），所述第三區(qū)設(shè)置在所述第二區(qū)上，通過所述第二區(qū)與所述第一區(qū)隔離，并且構(gòu)成所述第二表面的至少一部分，以及

在所述第二區(qū)上形成柵絕緣膜（21），以連接所述第一區(qū)和所述第三區(qū)，

在所述柵絕緣膜上形成柵電極（30），

在所述第一區(qū)上形成第一電極（31），以及

在所述第三區(qū)上形成第二電極（32）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述形成注入?yún)^(qū)的步驟包括用雜質(zhì)離子束（IB）以相對于所述第一表面的傾斜方向照射所述內(nèi)部溝槽的所述側(cè)壁的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，其中，在所述用雜質(zhì)離子束照射的步驟中，選擇所述傾斜方向，使得所述內(nèi)部溝槽的所述底部的至少一部分位于所述側(cè)壁的陰影中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，其中，通過具有物理蝕刻作用的蝕刻進行所述形成內(nèi)部溝槽的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的制造碳化硅半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述第二表面處形成柵溝槽（GT）的步驟，所述柵溝槽具有側(cè)壁（SS），經(jīng)過所述第三區(qū)和所述第二區(qū)直至到所述第一區(qū)，并且所處的位置遠離所述注入?yún)^(qū)，其中，通過熱蝕刻進行所述形成柵溝槽的步驟。