[發(fā)明專利]一種NOR閃存器件的退火工藝及NOR閃存器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310010804.5
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103077927A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王輝;黃兆興
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種NOR閃存器件的退火工藝，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成阱區(qū)，

對所述阱區(qū)進(jìn)行退火，其特征在于，所述退火是變溫退火，即是在退火氣氛下，將溫度從900-1000℃中的某一溫度降至700-800℃中的某一溫度，完成對所述阱區(qū)的退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述降溫是從950℃降至750℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述降溫是從1000℃降至800℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述降溫是從900℃降至700℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述的降溫速度為：1-5℃/Min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述的降溫速度為：2.5℃/Min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，對阱區(qū)進(jìn)行退火的時(shí)間為40-200Min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，對阱區(qū)進(jìn)行退火的時(shí)間為90Min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4所中任一項(xiàng)所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述的退火氣氛為N₂和O₂。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的NOR閃存器件的退火工藝，其特征在于，所述N₂氣氛的流量為15-18L/Min，O₂氣氛的流量為0.8-1.25L/Min。

11.一種NOR閃存器件，其特征在于，制作其的過程中采用權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的NOR閃存器件的退火工藝進(jìn)行退火。