[發(fā)明專利]一種斜坡補(bǔ)償電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310010231.6
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103095101A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻召福;白驥;羅賢亮
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳創(chuàng)維-RGB電子有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H03K4/48
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種斜坡補(bǔ)償電路，用于對一定斜率的三角波進(jìn)行斜坡補(bǔ)償，其特征在于，所述斜坡補(bǔ)償電路包括：

與所述三角波的輸出端相連、用于產(chǎn)生與電源無關(guān)的偏置電流的偏置產(chǎn)生單元；

連接在所述偏置產(chǎn)生單元的輸入端與輸出端之間、用于對所述偏置產(chǎn)生單元進(jìn)行調(diào)整和限流的限流調(diào)節(jié)單元；以及

輸入端與所述偏置產(chǎn)生單元的輸出端相連、用于輸出穩(wěn)定的斜坡補(bǔ)償電流的電流輸出單元。

2.如權(quán)利要求1所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述偏置產(chǎn)生單元包括：NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5和NMOS管M6；

所述NMOS管M1的柵極和所述PMOS管M4的柵極共接于所述三角波的輸出端，所述PMOS管M3的源極和所述PMOS管M4的源極同時(shí)接工作電壓VDD，所述PMOS管M4的漏極接所述PMOS管M5的源極，所述PMOS管M3的柵極、漏極共接后同時(shí)接所述PMOS管M5的柵極和所述NMOS管M2的漏極，所述PMOS管M5的柵極作為所述偏置產(chǎn)生單元的輸出端、同時(shí)接所述限流調(diào)節(jié)單元的輸入端和所述電流輸出單元的輸入端，所述NMOS管M2的源極接所述NMOS管M1的漏極，所述NMOS管M6的柵極、漏極共接后同時(shí)接所述NMOS管M2的柵極和所述PMOS管M5的漏極，所述NMOS管M5的漏極同時(shí)也為所述偏置產(chǎn)生單元的輸入端、接所述限流調(diào)節(jié)單元的的輸出端，所述NMOS管M1的源極和所述NMOS管M6的源極接地。

3.如權(quán)利要求2所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述限流調(diào)節(jié)單元包括NMOS管M8和PMOS管M9；

所述NMOS管M8的柵極和漏極共接后作為所述限流調(diào)節(jié)單元的輸入端、與所述PMOS管M5的柵極相連，所述NMOS管M8的源極接地，所述PMOS管M9的源極接所述工作電壓VDD，所述PMOS管M9的柵極和漏極共接后作為所述限流調(diào)節(jié)單元的輸出端、與所述PMOS管M5的漏極相連。

4.如權(quán)利要求3所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述限流調(diào)節(jié)單元還包括限流電阻R1和限流電阻R2；

所述NMOS管M8的源極通過限流電阻R1接地，所述限流電阻R2接在所述NMOS管M6的源極與地之間。

5.如權(quán)利要求2、3、4任一項(xiàng)所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述電流輸出單元包括PMOS管M7；

所述PMOS管M7的源極接所述工作電壓VDD，所述PMOS管M7的柵極為所述電流輸出單元的輸入端、接所述PMOS管M5的柵極，所述PMOS管M7的漏極輸出斜坡補(bǔ)償電流。