[發明專利]一種改善晶片良率的工藝控制方法和系統有效
| 申請號: | 201310009767.6 | 申請日: | 2013-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN103077882B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發明(設計)人: | 李健 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 馬曉亞 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 晶片 工藝 控制 方法 系統 | ||
1.一種改善晶片良率的工藝控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
判斷當前批次晶片的下兩個步驟即第一步驟和第二步驟的流片順序;
根據所述流片順序計算所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,則所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:計算預設的當前批次第一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間;計算預設的當前批次最后一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間;取以上兩個結果中的最小值。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的最后一片至第一片,則所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:計算預設的當前批次第一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間再減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,如果所述第一步驟的流片順序是從當前批次的最后一片至第一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,則所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:計算預設的當前批次最后一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間再減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間。
5.一種改善晶片良率的工藝控制系統,其特征在于,包括:
判斷模塊,用于判斷當前批次晶片的下兩個步驟即第一步驟和第二步驟的流片順序;
計算模塊,用于根據所述流片順序類型計算所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間。
6.如權利要求5所述的系統,其特征在于,所述判斷模塊如果判斷所述第一步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,則所述計算模塊計算所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:預設的當前批次第一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間;預設的當前批次最后一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間;取以上兩個結果中的最小值。
7.如權利要求5所述的系統,其特征在于,所述判斷模塊如果判斷所述第一步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的最后一片至第一片,則所述計算模塊計算所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:預設的當前批次第一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間再減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間。
8.如權利要求5所述的系統,其特征在于,所述判斷模塊如果判斷所述第一步驟的流片順序是從當前批次的最后一片至第一片,所述第二步驟的流片順序是從當前批次的第一片至最后一片,則所述計算模塊計算所述第一步驟與第二步驟之間的最長等待時間為:預設的當前批次最后一片允許的最長等待時間減去當前批次在所述第一步驟流片的總時間再減去當前批次在所述第二步驟流片的總時間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





