[發明專利]一種用于光刻裝置的雙面套刻系統及方法

有效

• 申請號: 201310009430.5
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN103926797A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 毛方林;李煜芝;王健
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

1.一種用于光刻裝置的雙面套刻系統，其特征在于，包括：一照明模塊，用于提供輻射束；

一支撐結構，用于支撐圖案形成裝置；一投影物鏡，用于將圖案成像至襯底，所述襯底包括一位于背面的圖案，所述襯底經過曝光后正面獲得一對準標記和一套刻圖案，一支撐結構，用于固定襯底；一雙面套刻誤差測量裝置，用于測量所述套刻圖案與所述背面圖案的相對位置誤差，一正面對準系統，用于確定所述襯底正面的對準標記位置。

2.一種用于光刻裝置的雙面套刻方法，其特征在于，包括：

步驟一：通過前道工序在一襯底背面形成一背面圖案；

步驟二：上載所述襯底到襯底臺上，對所述襯底進行第一次曝光，獲得一正面對準標記及正面套刻圖案；

步驟三：，下載所述襯底，對所述襯底顯影；

步驟四：獲得所述套刻圖案與所述背面圖案的相對位置誤差；

步驟五：再次上載所述襯底，根據所述正面對準標記進行正面對準；

步驟六：補償所述相對位置誤差，對所述襯底進行第二次曝光。

3.如權利要求2所述的雙面套刻方法，其特征在于，所述步驟四中相對位置誤差Δx_d、Δy_d滿足：

其中：x_d、y_d分別為曝光在襯底上的所述正面套刻圖案的位置坐標；Tx_d、Ty_d分別為該場的平移；M_xd、M_yd為倍率；Φ_fxd、Φ_fyd為像面旋轉；W_xxd、W_xyd、W_yxd、W_yyd、W_4xd、W_4yd分別為該場的楔形畸變；D_3xd、D_3yd為三階畸變；D_5x、D_5yd為五階畸變；R_fxd、R_fyd分別為擬合殘差。

4.如權利要求2所述的雙面套刻方法，其特征在于，所述步驟五中的所述正面對準具體為，利用正面對準系統確定所述正面對準標記的位置，建立襯底相對于襯底臺坐標系的位置關系。

5.如權利要求4所述的雙面套刻方法，其特征在于，所述正面對準標記的位置Δxa、Δya為：?

其中：x_a、y_a分別為對準標記場內名義位置坐標；Tx_a、Ty_a分別為該場的平移；M_xa、M_ya為倍率；Φ_xa、Φ_ya為像面旋轉；W_xxa、W_xya、W_yxa、W_yya、W_4xa、W_4ya分別為該場的楔形畸變；D_3xa、D_3ya為三階畸變；D_5xa、D_5ya為五階畸變；R_xa、R_ya分別為擬合殘差。

6.如權利要求４所述的雙面套刻方法，其特征在于，所述步驟六中的補償相對位置誤差為根據所述相對位置誤差和所述襯底相對于襯底臺坐標系的位置關系進行補償后，獲得實際曝光場位置。