[發明專利]基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計及其制作方法

有效

• 申請號: 201310009375.X
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103091692A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 張眾;梁玉;王海霞
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: G01T1/00
• 分類號: G01T1/00;C23C14/35;C23C14/18;C23F4/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 葉敏華

1.一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計，其特征在于，該薄膜量熱計包括基底和鍍制在基底上的鎳單層膜。

2.根據權利要求1所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計，其特征在于，所述的基底為石英玻璃。

3.根據權利要求1所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計，其特征在于，所述的基底表面的均方根粗糙度大于0nm，小于0.5nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計，其特征在于，所述的鎳單層膜的厚度為0.5um～2um。

5.根據權利要求1所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計，其特征在于，所述的鎳單層膜上刻蝕有圖案。

6.一種如權利要求1～5任一所述的基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：首先對基底進行清洗，然后采用直流磁控濺射方法在基底上鍍制鎳單層膜，最后用激光刻蝕的方法在鎳單層膜上刻蝕出圖案。

7.根據權利要求6所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計的制作方法，其特征在于，所述的對基底進行清洗包括以下步驟：

采用有機清洗液超聲波清洗8-12分鐘，去離子水超聲波清洗3-8分鐘，MOS級乙醇超聲波清洗8-12分鐘，去離子水超聲波清洗8-12分鐘，干燥的純凈氮氣吹干，其中所述的有機清洗液為洗潔精，去離子水電阻率≤18MΩ。

8.根據權利要求6所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計的制作方法，其特征在于，所述的直流磁控濺射方法包括以下步驟：

(1)鍍制鎳單層膜前，調節濺射室的本底真空度低于2×10^-4帕斯卡，靶到基底的距離為8厘米；

(2)調節磁控濺射的濺射靶槍的工作模式為恒功率濺射，濺射功率為50～60瓦；

(3)利用靶和基底之間的機械擋板來控制薄膜的厚度：通過公轉電機將基底運動到裝有鎳靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板，開始鍍膜，通過鍍膜時間來控制鎳單層膜的厚度；在膜層沉積過程中，基底保持自轉，自轉速度為30～50轉/分鐘。

9.根據權利要求6所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計的制作方法，其特征在于，所述的激光刻蝕的方法包括以下步驟：

(1)激光刻蝕前，先將刻蝕圖案輸入到連接激光器的計算機內，將鎳單層膜固定在激光輸出端的正前方，使激光位于其中心位置；

(2)分別調節激光器的的參數，其中，功率為2000～4000mw，刻蝕速率為50～200mm/s，步長為3～10um；

(3)利用激光束的運動進行刻蝕：在計算機的控制下，激光束依次掃過鎳單層膜將被刻蝕掉的部分，當激光與鎳單層膜接觸時，激光束便將鎳單層膜燒蝕掉，刻蝕出所需圖案。

10.根據權利要求9所述的一種基于激光刻蝕方法的阻抗式鎳薄膜量熱計的制作方法，其特征在于，所述的激光器所用波長為1064nm，Q開光頻率為50KHZ。