[發明專利]磁阻存儲器的形成方法

有效

• 申請號: 201310009261.5
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103928608B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 李海艇;黃河
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種磁阻存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述襯底上形成有金屬間介質層；

在所述金屬間介質層中形成溝槽；

形成襯墊材料層、位于所述襯墊材料層上的布線層，覆蓋所述金屬間介質層、填充所述溝槽；

去除高出所述金屬間介質層上的襯墊材料層的布線層，剩余溝槽中的布線層，為布線；

形成覆蓋層，覆蓋所述布線和溝槽側壁的襯墊材料層，以及緊鄰所述溝槽兩側的金屬間介質層上的部分襯墊材料層；

去除未被覆蓋層覆蓋的襯墊材料層，剩余的襯墊材料層為襯墊層；

去除未被覆蓋層覆蓋的襯墊材料層后，在所述布線上形成磁性隧道結。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆蓋層的方法，包括：

沉積覆蓋材料層，覆蓋金屬間介質層；

圖形化所述覆蓋材料層，形成覆蓋層。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，沉積覆蓋材料層的方法為化學氣相沉積。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述襯墊材料層為三層結構，包括底部的氮化鉭層、位于氮化鉭層上的磁性材料層、位于磁性材料層上的氮化鈦層。

5.如權利要求1或4所述的形成方法，其特征在于，去除所述覆蓋層兩側的襯墊材料層的方法為化學機械拋光，其中，覆蓋層相比于襯墊材料層具有低拋光選擇比，在去除覆蓋層兩側的襯墊材料層時不會去除覆蓋層。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為無定形碳、氮化硅或氧化硅。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述磁性材料層的材料包括鐵、鈷、鎳中的一種，或鐵、鈷或鎳的氧化物，或鐵合金、鎳合金或鈷合金。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除未被覆蓋層覆蓋的襯墊材料層后，形成磁性隧道結前，去除覆蓋層。

9.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，去除所述覆蓋層的方法，使用干法刻蝕工藝。

10.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，在去除覆蓋層后，形成磁性隧道結前，形成覆蓋金屬間介質層、布線和襯墊層的介質層。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述布線的材料為銅。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高出所述金屬間介質層上的襯墊材料層的布線層的方法，包括化學機械拋光。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述金屬間介質層中形成溝槽之前，在金屬間介質層上形成阻擋層。

14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述布線為字線或位線。