[發明專利]具有厚膜環繞壁的發光二極管元件基板、元件及制法

無效

• 申請號: 201310008963.1
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103928598A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 陳建興
• 申請（專利權）人: 并日電子科技(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京明和龍知識產權代理有限公司 11281
• 代理人: 郁玉成

1.一個具有厚膜環繞壁的發光二極管元件基板，是供發光二極管晶粒設置，該發光二極管元件基板包括：

一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；

至少一個成型于上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；

一個布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個供上述發光二極管晶粒安裝的安裝區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能回路；及

一個設置于至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件基板，更包括一層至少部分覆蓋該厚膜遮蔽層的金屬反射薄膜層。

3.如權利要求1或2所述的發光二極管元件基板，其中前述環繞壁系多層光阻疊層。

4.一個具有厚膜環繞壁的發光二極管元件，包括：

一片發光二極管元件基板，包括

一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；

至少一個成型于上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；

一個布局在至少該上表面的致能回路，該致能回路至少包括一個安裝區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能回路；及

一個設置于至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間；及

至少一個安裝于上述安裝區、并被導接至上述致能回路的發光二極管晶粒；及

一層完整覆蓋該發光二極管晶粒的透光封裝層。

5.如權利要求4所述的發光二極管元件，更包括一層設置在該容置空間內、介于上述發光二極管晶粒與該透光封裝層間的熒光材質膠體。

6.一種具有厚膜環繞壁的發光二極管元件的制造方法，是供至少一個具有一組致能端部的發光二極管晶粒設置，并將一片基片預先區劃成多個基板本體，前述各基板本體分別具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該二極管元件的制造方法包括下列步驟：

a)分別在前述各基板本體對應前述端緣位置形成多個貫穿前述上下表面的側面穿孔；

b)分別將多個具有一個安裝區的致能回路布局在前述各基板本體上表面，并至少分別在前述兩端緣之一及對應該端緣的側面穿孔設置一個導接對應該致能回路的凹陷側邊電極；及

c)將一個厚膜遮蔽層設置于各前述上表面，從上方遮蔽各前述凹陷側邊電極，其中每一上述厚膜遮蔽層分別形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，并與各上述對應基板本體共同形成有使各上述對應安裝區被暴露的容置空間。

7.如權利要求6所述的發光二極管元件的制造方法，其中該步驟c)中設置厚膜遮蔽層的步驟更包括下列次步驟：

c1)在每一上述基板本體上設置形成一第一層光阻膜；

c2)當該第一層光阻膜厚度未達一預定厚度時，于上述光阻膜上增加一層上層光阻膜，直到達到該預定厚度；

c3)將一對應該至少一個環繞壁形狀及前述側面穿孔的光罩覆蓋于該光阻膜上進行曝光，使該光阻膜固化；及

c4)對該光阻膜進行顯影，形成該至少一個環繞壁及厚膜遮蔽層。

8.如權利要求6所述發光二極管元件的制造方法，其中該步驟c)中設置厚膜遮蔽層的步驟更包括下列次步驟：

c5)在該厚膜遮蔽層形成一個金屬材質的種子層；及

c6)在該種子層上電鍍增厚、并形成一個金屬反射薄膜層。

9.如權利要求6所述的發光二極管元件的制造方法，更包括在步驟c)后的下列步驟：

d)將前述發光二極管晶粒分別安裝在安裝區，并將前述發光二極管晶粒的致能端部分別導接至前述側邊電極及/或致能回路；

e)設置一組具有多個分別對應該等基板的預定形狀模穴的模具于該基材上，并注入一透明材質，以形成多個符合該等模穴預定形狀的封裝，完整覆蓋該等發光二極管晶粒、該等環繞壁、及該等固化后的含有熒光材質的膠體；

f)切割該基片，形成多個發光二極管元件。

10.如權利要求9所述的發光二極管元件的制造方法，更包含在步驟d)與步驟e)間，將含有熒光材質的液態膠體注入該環繞壁的容置空間并覆蓋前述發光二極管晶粒的步驟g)。