[發(fā)明專利]深溝槽刻蝕工藝的關(guān)鍵尺寸補償方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310008959.5
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103065943A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 章安娜;李曉明
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種深溝槽刻蝕工藝的關(guān)鍵尺寸補償方法，包括：

獲取在深溝槽刻蝕工藝后晶圓中心位置與晶圓邊緣位置的刻蝕關(guān)鍵尺寸差值；

根據(jù)刻蝕位置距離晶圓中心位置的距離和所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值對晶圓刻蝕的掩蔽層版圖進行補償，使得所述掩蔽層版圖露出的刻蝕圖案尺寸在晶圓半徑方向上由中心到邊緣逐漸減小，且所述掩蔽層版圖在晶圓邊緣位置露出的刻蝕圖案尺寸比在晶圓中心位置露出的刻蝕圖案尺寸小所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值的二分之一；

按補償后的所述掩蔽層版圖對晶圓進行深溝槽刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽層版圖露出的刻蝕圖案尺寸根據(jù)下式計算：

CDNi=CD-N-i2NΔCD]]>

其中，N為在晶圓半徑方向上由中心到邊緣的刻蝕圖案的總數(shù)，CD_Ni為從晶圓中心位置到邊緣位置的第i個刻蝕圖案的尺寸，CD為刻蝕圖案的原始關(guān)鍵尺寸，ΔCD為所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取在深溝槽刻蝕工藝后晶圓中心位置與晶圓邊緣位置的刻蝕關(guān)鍵尺寸差值包括：

通過對實驗晶圓按原始掩蔽層版圖進行深溝槽刻蝕后的關(guān)鍵尺寸進行測量獲取所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，按補償后的所述掩蔽層版圖對晶圓進行深溝槽刻蝕包括：

在原有深溝槽刻蝕工藝參數(shù)基礎(chǔ)上調(diào)節(jié)深溝槽刻蝕工藝的刻蝕總量使得相應(yīng)的刻蝕保護量減少。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，調(diào)節(jié)的所述刻蝕總量通過對按補償后的掩蔽層版圖刻蝕的晶圓進行重復(fù)實驗驗證獲得。

6.一種深溝槽刻蝕工藝的關(guān)鍵尺寸補償方法，包括：

獲取在深溝槽刻蝕工藝后晶圓中心位置與晶圓各刻蝕圖案位置的刻蝕關(guān)鍵尺寸差值；

根據(jù)各刻蝕圖案位置對應(yīng)的所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值的1/2對晶圓刻蝕的掩蔽層版圖進行補償，使得每一個刻蝕圖案尺寸比所述掩蔽層版圖在晶圓中心位置露出的刻蝕圖案尺寸小對應(yīng)位置的刻蝕關(guān)鍵尺寸差值二分之一；

按補償后的所述掩蔽層版圖對晶圓進行深溝槽刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述獲取在深溝槽刻蝕工藝后晶圓中心位置與晶圓各刻蝕圖案位置的刻蝕關(guān)鍵尺寸差值：

通過對實驗晶圓按原始掩蔽層版圖進行深溝槽刻蝕后的關(guān)鍵尺寸進行測量獲取所述刻蝕關(guān)鍵尺寸差值。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，按補償后的所述掩蔽層版圖對晶圓進行深溝槽刻蝕包括：

在原有深溝槽刻蝕工藝參數(shù)基礎(chǔ)上調(diào)節(jié)深溝槽刻蝕工藝的刻蝕總量使得相應(yīng)的刻蝕保護量減少。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，調(diào)節(jié)的所述刻蝕總量通過對按補償后的掩蔽層版圖刻蝕的晶圓進行重復(fù)實驗驗證獲得。