[發明專利]量子阱紅外探測器的制作方法

有效

• 申請號: 201310008615.4
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103050503A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 時文華;繆小虎;蘇瑞鞏;熊敏;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

s1、在外延片上進行光柵光刻，形成光柵圖形；

s2、在外延片上制作上電極；

s3、以上電極為掩膜，刻蝕形成臺面；

s4、生長鈍化層，并在鈍化層上刻蝕出電極孔以露出上電極；

s5、制作下電極。

2.根據權利要求1所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述外延片為GaAs外延片。

3.根據權利要求2所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述步驟s1具體為：以光刻膠作為掩膜在外延片上刻蝕出光柵圖形，然后去除光刻膠。

4.根據權利要求3所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述的光柵圖形的刻蝕方式為ICP，刻蝕氣體為Cl₂與BCL₃的混合氣體。

5.根據權利要求1所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述上電極材料為AuGeNi/Au。

6.根據權利要求5所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述步驟s2具體為：先以光刻膠為掩膜光刻形成上電極圖形，接著電子束蒸發AuGeNi/Au，最后溶解光刻膠以形成上電極。

7.根據權利要求1所述的量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述鈍化層為SiO₂或Si₃N₄，厚度為400~800nm。

8.權利要求1至7任一所述的外延片的制作方法，其特征在于，在襯底上依次生長第一接觸層、量子阱結構和第二接觸層。

9.根據權利要求8所述的外延片的制作方法，其特征在于，所述襯底為GaAs，所述量子阱結構為GaAs/AlGaAs，所述量子阱的周期數為30~60個，所述第一接觸層和第二接觸層均為n摻雜的GaAs，摻雜濃度為10¹⁷~10¹⁸/cm³。

10.一種量子阱紅外探測器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

a）制作GaAs外延片，即在GaAs襯底上外延生長GaAs/AlGaAs量子阱結構，量子阱上下兩側分別形成N型GaAs接觸層；

b）在GaAs外延片上光刻形成光柵圖形，以光刻膠作為掩膜在外延片上刻蝕出光柵圖形，最后去除光刻膠；

c）光刻形成上電極圖形，接著電子束蒸發AuGeNi/Au，最后溶解光刻膠以形成上電極；

d）用上電極作為掩膜，通過干法刻蝕形成臺面；

e）采用PECVD方法生長鈍化層；

f）光刻形成電極孔圖形，以光刻膠作為掩膜在鈍化層上刻蝕出電極孔；

g）光刻形成下電極圖形，接著電子束蒸發AuGeNi/Au，最后溶解光刻膠以形成下電極。