[發明專利]用于在存儲器裝置中重新分配可尋址空間的方法和設備

有效

• 申請號: 201310007949.X
• 申請日: 2007-01-31
• 公開（公告）號: CN103123608B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 任廷彬;金慧英;崔永準;李東起;李時潤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 侯廣

本案是申請日為2007年1月31日、申請號為200710006117.0、發明名稱為“用于在存儲裝置中再分配可尋址空間的方法和設備”的發明專利申請的分案申請。

相關申請的交叉參考

本申請要求于2006年10月19日提交的韓國專利申請No.10-2006-0101644的優先權，在此通過參考合并其整個公開。

技術領域

本發明涉及集成電路系統，更具體地說，涉及控制存儲裝置的處理器和操作存儲裝置的方法。

背景技術

諸如閃速EEPROM裝置之類的非易失存儲裝置具有使得它們適于在低功率應用中使用的許多優良特性。這些低功率應用包括諸如數字照相機、MP3音樂播放機、蜂窩電話、存儲器卡和個人數字助理（PDA）之類的移動裝置應用。

如本領域普通技術人員所理解的，在用于對閃速EEPROM裝置進行編程的操作之前通常自動進行擦除操作（例如，塊擦除），其在該裝置中準備EEPROM單元以接受新的程序數據。因此，在用于對在EEPROM裝置內的一塊單元進行編程的操作之前進行用于擦除該塊單元的操作以在這些單元內達到“復位”閾值電壓條件的操作是普遍的。不幸的是，對一塊EEPROM單元執行相對大量的擦除操作可能導致在一個或多個EEPROM單元內產生“閾值－電壓（threshold-voltage）”缺陷從而縮短EEROPM裝置的有效壽命。

為了應對響應于在EEPROM裝置上所執行的“塊”擦除操作的數量增加可能發生的EEPROM單元缺陷的數量增加，許多EEPROM裝置被配置為具有EERPOM單元的一個或多個保留存儲器塊，它們作為用于EEPROM單元的其他有效存儲器塊的“冗余”存儲器塊操作，所述其他有效存儲器塊在正常使用期間經歷多次寫、讀和擦除操作。可以用對應的被保留存儲器塊來代替在EEPROM裝置的使用期間變為有缺陷的多個有效存儲器塊的每一個。然而，一旦已經使用了所有可用的保留存儲器塊來代替相應的有效存儲器塊，則在隨后的擦除和編程操作期間在EEPROM裝置內檢測到任何進一步的缺陷可能會導致裝置故障。

為了減少在一個或多個有效存儲器塊上所執行的過量擦除/編程操作所導致的EEPROM裝置故障的可能性，已經開發了技術以在所有有效存儲器塊的范圍上相對均勻地分布擦除/編程操作。這些技術可能使用閃速轉換層（flashtranslation layer,FTL）技術來支持擦除/編程操作的相對均勻分布。但是，因為許多有效存儲器塊可能具有對擦除/編程操作所導致的缺陷的不同敏感度（susceptibility），所以用于在多個有效存儲器塊的范圍上相對均勻地分布擦除/編程操作的技術可能在實現相對長的裝置壽命方面不能完全成功。

發明內容

本發明的實施方式包括其中具有非易失存儲裝置和存儲器處理電路的集成電路。典型的非易失存儲裝置包括閃速EEPROM裝置。將存儲器處理電路電耦合到非易失存儲裝置。將存儲器處理電路配置來在非易失存儲裝置內再分配可尋址的空間。響應于所述存儲器處理電路所接收到的容量調整命令，通過在非易失存儲裝置內增加被保留作為冗余存儲器地址的物理地址的數量來執行這種再分配。

根據這些實施方式中的一些，存儲器處理電路包括地址變換表。將該地址變換表配置為響應于所述存儲器處理電路所接收到的邏輯地址來產生映射到所述非易失存儲裝置的物理地址。將所述存儲器處理電路進一步配置為在非易失存儲裝置內讀取存儲器分配區域，以確定該非易失存儲裝置內有效存儲器區域和/或保留存儲器區域的容量。還響應于所述存儲器處理電路所接收到的容量調整命令來執行該讀取操作。此外，將所述存儲器處理電路配置為響應于所述容量調整命令，將數據寫到所述非易失存儲裝置內的存儲器分配區域。以這種方式，所述存儲器處理電路可以執行操作以讀取所述存儲器分配區域以確定非易失存儲裝置內有效存儲器塊和保留存儲器塊之間的第一分配，然后用非易失存儲裝置內的有效存儲器塊和保留存儲器塊之間的經修改的分配來寫存儲器分配區域。