[發明專利]一種具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201310007946.6
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103030100A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 李美成;黃睿;白帆;谷田生;姜冰;宋丹丹;李英峰
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 薄觀玖

1.一種具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射技術在單晶硅表面沉積具有網狀結構的銀膜，然后利用濕法刻蝕技術獲得具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列，具體步驟如下：

a.硅片預處理：依次利用丙酮、乙醇以及去離子水將硅片超聲清洗干凈，去除硅表面油污污染物，然后利用氫氟酸去除表面氧化層，再用去離子水沖洗干凈，最后真空干燥得到清潔的硅表面；?

b.制備銀膜催化劑：利用高真空磁控濺射技術，在經過預處理硅片表面沉積網狀銀膜，該銀膜為直接用于刻蝕單晶硅表面的催化劑；

c.制備硅納米線陣列：配制由氫氟酸和雙氧水組成的刻蝕液，其中氫氟酸濃度為3?mol/L~5?mol/L，雙氧水濃度為0.02?mol/L~1?mol/L；然后將沉積過銀膜的硅片浸漬于刻蝕液中進行刻蝕，得到硅納米線陣列；

d.去除硅納米線陣列中殘余銀：用硝酸浸泡步驟c得到的硅納米線陣列，去除殘留在硅納米線陣列中的銀；

e.去除硅納米線表面氧化層：用氫氟酸浸泡經步驟d處理的硅納米線陣列，去除硅納米線陣列表面的氧化層，然后用去離子水沖洗干凈并真空干燥，即得到具有減反射特性的亞波長硅納米線陣列。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片為(100)取向的n型單晶硅片，其電阻率為3.5?Ω?cm~5?Ω?cm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述去離子水電阻率不小于16?Ω?cm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟a中氫氟酸的質量分數為5%，浸泡時間為5?min。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟b中濺射電流為8?mA~12mA，濺射時間為40?s~70?s。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟c中刻蝕時間不超過10?min。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟d中硝酸的質量分數為65%，浸泡時間為5?min~10?min。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟e中氫氟酸的濃度為7.3?mol/L，浸泡時間為25?min~30?min。