[發明專利]中高壓鋁電解電容的制作方法

有效

• 申請號: 201310007914.6
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103227052A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 朱健雄
• 申請（專利權）人: 朱健雄
• 主分類號: H01G9/055
• 分類號: H01G9/055
• 代理公司: 廣東國欣律師事務所 44221
• 代理人: 李文

技術領域

本發明涉及鋁電解電容的制作方法。?

背景技術

由于現有的中高壓鋁電解電容器所采用的鋁箔為高溫化成工藝，形成為γ型AL₂O₃的致密型氧化膜，片面追求鋁箔的比容和鋁箔的電壓，致密型氧化膜雖然致密穩定，但內阻大，造成電壓波動時的發熱量大，引起電容的失效，不合適電容兩端壓降的變化率過大電路環境。?

發明內容

本發明的目的在于提供一種損耗小、內阻小的中高壓鋁電解電容的制作方法。?

本發明的目的可以這樣實現，設計一種中高壓鋁電解電容的制作方法，包括步驟：?

A、選用低溫化成工藝形成無定型結晶的AL₂O₃化成箔作為中高壓鋁電解電容的正極箔；?

B、通過裁切、釘卷、含浸、封口、套膠、老化、測試分選工藝制作。?

進一步地，AL₂O₃化成箔為中高壓腐蝕鋁箔，厚度為75um～120um，腐蝕孔徑在0.05微米以上。?

進一步地，所述低溫化成工藝包括：?

①草酸處理：草酸溶液的溫度在10℃～45℃，草酸溶度在1%～10%；?

②至少進行三級化成工序，化成工序采用五硼酸銨或硼酸工藝，槽液溫液控制在20℃～90℃。?

優選地，槽液溫液控制在30℃～90℃。?

本發明采用無定型氧化膜結構的鋁箔作為正極箔，降低電容的損耗角正切和內阻，以大大降低電容的發熱量，提高實際工作電壓與電容工作電壓之比的系數，提高電源的能源效率。?

具體實施方式

以下結合實施例對本發明作進一步的描述。?

一種中高壓鋁電解電容的制作方法，包括步驟：?

A、選用低溫化成工藝形成無定型結晶的AL₂O₃化成箔作為中高壓鋁電解電容的正極箔；?

B、通過裁切、釘卷、含浸、封口、套膠、老化、測試分選工藝制作。?

其中，AL₂O₃化成箔為中高壓腐蝕鋁箔，厚度為75um～120um，腐蝕孔徑在0.05微米以上。?

其中的低溫化成工藝包括：①草酸處理：草酸溶液的溫度在10℃～45℃，草酸溶度在1%～10%以下；②至少進行三級化成工序，化成工序采用五硼酸銨或硼酸工藝，化成工序中的化成溶液采用現有技術中的五硼酸銨或硼酸槽液，但是液溫控制在90℃以下，控制在30℃～90℃較佳。較佳地，采用五級化成，槽液為現有的五硼酸銨或硼酸槽液，槽液液溫控制在90℃以下，控制在30℃～90℃較佳，根據需要化成的鋁箔電壓，逐級進行電壓化成。?

其中裁切、釘卷、含浸、封口、套膠、老化、測試分選工藝為現有鋁電解電容器的制作工藝。對于導針形（包括引線式）采用的工藝步驟為：裁切→釘卷→含浸→放置膠塞封口→套膠→老化→測試分選。對于耳片形（包括鈕角、螺栓、焊片式）采用的工藝步驟為：裁切→釘卷→含浸→鉚接→封口→套膠→老化→測試分選。?

以530VF+400WV化成鋁箔為例，普通鋁箔比容0.68uf/cm²，本發明采用的鋁箔比容0.42uf/cm²。?

發明采用鋁箔實施例：?

將上述兩種鋁箔做成電解電容，以360V、50uf頻閃燈電容為例。普通的電容的數據為：530V+75um、0.36uf/m²；120HZ25℃以下tgδ=2.8%。本發明的電容的數據為：520V+75um、0.36uf/m²；120HZ25℃以下tgδ=1.8%。?

普通電解電容在全充全放2小時內溫升為105℃，本發明的電解電容在全充全放2小時內溫升為55℃。?

以普通的手機充電器為例，電解電容電性能數據對比：?

使用在5V/1A的手機充電器上：?