[發明專利]絕緣支撐裝置和IGBT功率模塊

在審

• 申請號: 201310007890.4
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103915988A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 柴媛;張晉芳;楊春宇
• 申請（專利權）人: 永濟新時速電機電器有限責任公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 畢強

1.一種絕緣支撐裝置，其特征在于，包括支撐板和絕緣支撐柱，所述支撐板為U形板，所述絕緣支撐柱設置在所述支撐板凸起部的外表面上。

2.根據權利要求1所述的絕緣支撐裝置，其特征在于，所述絕緣支撐柱為絕緣材料制成的圓柱體結構，所述絕緣支撐柱中心嵌設有用于與螺釘連接的金屬嵌件；

所述支撐板為金屬材料制成。

3.根據權利要求1或2所述的絕緣支撐裝置，其特征在于，所述絕緣支撐柱的數量為兩個且間隔設置在所述支撐板上。

4.根據權利要求1或2所述的絕緣支撐裝置，其特征在于，所述支撐板上設置有多個用于與所述絕緣支撐柱連接的第一安裝孔。

5.根據權利要求1或2所述的絕緣支撐裝置，其特征在于，所述支撐板的兩側邊沿具有翻邊折板，所述翻邊折板的邊角處開設有用于與IGBT模塊的水冷基板連接的第二安裝孔。

6.一種IGBT功率模塊，包括IGBT器件、水冷基板和復合母排，所述IGBT器件對稱設置在所述水冷基板上且位于兩端的位置，所述復合母排設置在所述IGBT器件上部且與所述IGBT器件連接，其特征在于，該IGBT功率模塊還包括至少兩個權利要求1~5任一項所述的絕緣支撐裝置，所述絕緣支撐裝置的支撐板設置在所述水冷基板上，所述絕緣支撐裝置的絕緣支柱頂在所述復合母排的下表面。