[發明專利]BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法有效
| 申請號： | 201310007440.5 | 申請日： | 2013-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103077951A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 王之奇;喻瓊;王蔚 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;B28D5/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | bsi 圖像傳感器 晶圓級 封裝 方法 | ||
1.一種BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
通過第一切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第一次切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層；
通過第二切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第二次切割，以獲得多個獨立的BSI圖像傳感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。
2.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述第一切刀為金屬刀，所述第二切刀為樹脂刀。
3.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述第一切刀的寬度大于所述第二切刀。
4.根據權利要求3所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述“通過第二切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第二次切割，以獲得多個獨立的BSI圖像傳感器”步驟前，還包括：
在BSI圖像傳感器晶圓的第二面一側的最外層形成第二絕緣層。
5.根據權利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，在“通過第一切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第一次切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層”步驟前，還包括：
在BSI圖像傳感器晶圓的硅基底上形成焊墊開口和切割道開口，所述焊墊開口暴露出設置于互連層的焊墊，所述切割道開口暴露出互連層；
在硅基底的表面上形成第一絕緣層。
6.一種BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
通過激光對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行劃線切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層；
通過切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第二次切割，以獲得多個獨立的BSI圖像傳感器。
7.根據權利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，所述切刀為樹脂刀。
8.根據權利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述“通過切刀對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行第二次切割，以獲得多個獨立的BSI圖像傳感器”步驟前，還包括：
在BSI圖像傳感器晶圓的第二面一側的最外層形成第二絕緣層。
9.根據權利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，在“通過激光對BSI圖像傳感器晶圓封裝體進行劃線切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層”步驟前，還包括：
在BSI圖像傳感器晶圓的硅基底上形成焊墊開口和切割道開口，所述焊墊開口暴露出設置于互連層的焊墊，所述切割道開口暴露出互連層；
在硅基底的表面上形成第一絕緣層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
