[發(fā)明專利]BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310007440.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-09
• 公開（公告）號(hào): CN103077951A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

通過第一切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第一次切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層；

通過第二切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第二次切割，以獲得多個(gè)獨(dú)立的BSI圖像傳感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述第一切刀為金屬刀，所述第二切刀為樹脂刀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述第一切刀的寬度大于所述第二切刀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在所述“通過第二切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第二次切割，以獲得多個(gè)獨(dú)立的BSI圖像傳感器”步驟前，還包括：

在BSI圖像傳感器晶圓的第二面一側(cè)的最外層形成第二絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在“通過第一切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第一次切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層”步驟前，還包括：

在BSI圖像傳感器晶圓的硅基底上形成焊墊開口和切割道開口，所述焊墊開口暴露出設(shè)置于互連層的焊墊，所述切割道開口暴露出互連層；

在硅基底的表面上形成第一絕緣層。

6.一種BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述方法包括：

通過激光對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行劃線切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層；

通過切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第二次切割，以獲得多個(gè)獨(dú)立的BSI圖像傳感器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述切刀為樹脂刀。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在所述“通過切刀對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行第二次切割，以獲得多個(gè)獨(dú)立的BSI圖像傳感器”步驟前，還包括：

在BSI圖像傳感器晶圓的第二面一側(cè)的最外層形成第二絕緣層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的BSI圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，在“通過激光對(duì)BSI圖像傳感器晶圓封裝體進(jìn)行劃線切割，分離相鄰的BSI圖像傳感器的互連層”步驟前，還包括：

在BSI圖像傳感器晶圓的硅基底上形成焊墊開口和切割道開口，所述焊墊開口暴露出設(shè)置于互連層的焊墊，所述切割道開口暴露出互連層；

在硅基底的表面上形成第一絕緣層。