[發明專利]一種新型的紫外發光二極管結構無效
| 申請號： | 201310007371.8 | 申請日： | 2013-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103296156A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 趙志斌;曲軼;張晶 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130022 吉林省長春市朝*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 紫外 發光二極管 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型紫外發光二極管結構，包括緩沖層，n型層，活躍區，p型電子阻擋層，p型層和p型接觸層的設計。
2.根據要求1所述，在發光二級管結構的設計中，其特征在于，
（1）在c面藍寶石上依次生長緩沖層AlN、?n型層Al0.4Ga0.6N、?活躍區Al0.565Ga0.435N/Al0.5Ga0.5N、?p型電子阻擋層Al0.19Ga0.81N、??p型層Al0.2Ga0.8N/GaN、?p型接觸層GaN。
（2）以AlN作為緩沖層，其厚度為600nm和摻雜2×1018cm-3Si。
（3）以Al0.4Ga0.6N為n型層，其厚度為130nm和摻雜2×1018cm-3Si。
（4）以4個5nm厚Al0.565Ga0.435N為活躍區，中間由10nm厚摻雜2×1018cm-3Si的?Al0.5Ga0.5N隔開。
（5）以Al0.19Ga0.81N作為p型電子阻擋層，其摻雜0.1×1018cm-3Mg。
（6）以Al0.2Ga0.8N/GaN作為p型層，其厚度為130nm和摻雜0.4×1018cm-3Mg。
（7）以GaN為p型接觸層，其厚度為5nm和摻雜1×1018cm-3Mg。
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