[發明專利]晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310007163.8
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103227201B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 李昌承;李周浩;金容誠;金俊成;文彰烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種晶體管，包括：

柵極，在基板上；

溝道層，具有三維(3D)溝道區域，部分地覆蓋所述柵極的兩個側表面和頂表面；

源極電極，接觸所述溝道層的第一區域；以及

漏極電極，接觸所述溝道層的第二區域，

其中所述源極電極包括：

與所述三維溝道區域間隔開的第一源極電極部分，所述第一源極電極部分具有大于所述三維溝道區域的高度的高度，以及

第二源極電極部分，其在所述第一源極電極部分和所述三維溝道區域之間，

其中，所述第一源極電極部分和第二源極電極部分的底表面直接接觸所述溝道層的上表面，以及所述第二源極電極部分具有小于所述第一源極電極部分的高度的高度。

2.如權利要求1所述的晶體管，其中所述溝道層在所述基板上。

3.如權利要求1所述的晶體管，其中所述溝道層包括石墨烯。

4.如權利要求1所述的晶體管，其中所述源極電極和所述漏極電極分別在所述柵極的兩側。

5.如權利要求4所述的晶體管，其中所述漏極電極包括與所述三維溝道區域間隔開的第一漏極電極部分。

6.如權利要求5所述的晶體管，其中所述第一漏極電極部分具有大于所述三維溝道區域的高度的高度。

7.如權利要求5所述的晶體管，其中所述漏極電極還包括在所述第一漏極電極部分和所述三維溝道區域之間的第二漏極電極部分。

8.如權利要求7所述的晶體管，其中所述第二源極電極部分和所述第二漏極電極部分的每一個具有等于或小于所述三維溝道區域的高度的高度。

9.如權利要求7所述的晶體管，其中所述晶體管的有效溝道長度根據所述第二源極電極部分和所述第二漏極電極部分的每一個的高度來調整。

10.如權利要求1所述的晶體管，其中，

所述第一源極電極部分在所述溝道層上在所述柵極的一側，所述第二源極電極部分連接到所述第一源極電極部分，所述第二源極電極部分在所述柵極的第一側壁上，以及

所述漏極電極包括，

第一漏極電極部分，在所述溝道層上在所述柵極的另一側，以及

第二漏極電極部分，連接到所述第一漏極電極部分，所述第二漏極電極部分在所述柵極的第二側壁上。

11.如權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極包括在水平方向上彼此間隔開的第一柵極和第二柵極，

所述源極電極包括彼此間隔開的第一源極電極和第二源極電極，所述第一柵極和所述第二柵極在所述第一源極電極和所述第二源極電極之間，并且所述漏極電極在所述第一柵極和所述第二柵極之間，

其中所述第一源極電極和第二源極電極中的每個包括所述第一源極電極部分和所述第二源極電極部分，

所述第一源極電極的所述第一源極電極部分在所述第一和第二柵極的一側，所述第二源極電極的所述第一源極電極部分在所述第一和第二柵極的另一側，以及

所述第一源極電極的所述第二源極電極部分在其所述第一源極電極部分與所述第一柵極之間，所述第二源極電極的所述第二源極電極部分在其所述第一源極電極部分與所述第二柵極之間。

12.如權利要求11所述的晶體管，其中所述第一源極電極和第二源極電極的所述第二源極電極部分中的每一個都具有小于所述第一源極電極和第二源極電極的所述第一源極電極部分中的每一個的高度的高度。

13.如權利要求11所述的晶體管，其中所述漏極電極具有等于所述第一源極電極和第二源極電極的所述第二源極電極部分中的每個的高度的高度。