[發(fā)明專利]電力電子裝置及其混合功率模塊、混合功率模塊的形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310006151.3
• 申請(qǐng)日: 2013-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103051159A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李誠(chéng)瞻;劉可安;馮江華;史晶晶;彭勇殿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/00
• 分類號(hào): H02M1/00;H02M1/08;H01L25/07
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種混合功率模塊，其特征在于，包括：

IGBT開(kāi)關(guān)器件；

陰極與所述IGBT開(kāi)關(guān)器件的集電極相連，陽(yáng)極與所述IGBT開(kāi)關(guān)器件的發(fā)射極相連的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管；

與所述IGBT開(kāi)關(guān)器件柵極相連的柵極偏置電路，所述柵極偏置電路包括：相互并聯(lián)的第一電阻和第一二極管，以及與所述第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)串聯(lián)的第二電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合功率模塊，其特征在于，所述柵極偏置電路包括：

與所述IGBT開(kāi)關(guān)器件柵極相連的所述第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)；

與所述第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)另一端相連的第二電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合功率模塊，其特征在于，所述柵極偏置電路包括：

與所述IGBT開(kāi)關(guān)器件柵極相連的第二電阻；

與所述第二電阻的另一端相連的所述第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1任一項(xiàng)所述的混合功率模塊，其特征在于，所述第一電阻的阻值大于1000Ω。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合功率模塊，其特征在于，所述第一二極管為整流二極管。

6.一種包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述混合功率模塊的電力電子裝置。

7.一種混合功率模塊的形成方法，其特征在于，包括：

制備氮化鋁襯板；

在所述氮化鋁襯板上形成圖形化的金屬層；

在氮化鋁襯板上形成IGBT開(kāi)關(guān)器件、碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管、第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)、第二電阻；

將氮化鋁襯板固定在基板上；

實(shí)現(xiàn)IGBT開(kāi)關(guān)器件、碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管與金屬層電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述基板為鍍鎳的鋁碳化硅基板或鍍鎳的銅基板。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，還包括：

采用超聲波清洗和化學(xué)清洗的方法，對(duì)所述基板和氮化鋁襯板進(jìn)行清洗。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述氮化鋁襯板上形成IGBT開(kāi)關(guān)器件、碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管、第一電阻和第一二極管的并聯(lián)結(jié)構(gòu)、第二電阻包括：

采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)，將焊料均勻涂在氮化鋁襯板的焊接面上；

采用高溫回流焊接技術(shù)，將IGBT開(kāi)關(guān)器件芯片、碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管芯片、第一電阻貼片元件、第一二極管貼片元件和第二電阻貼片元件焊接在所述氮化鋁襯板的焊接面上。