[發明專利]微晶玻璃陶瓷磚及降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法有效
| 申請號: | 201310005956.6 | 申請日: | 2013-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN103102182A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 何維恭 | 申請(專利權)人: | 廣東偉邦微晶科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B41/89 | 分類號: | C04B41/89;C04B41/85 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268 | 代理人: | 劉文求;楊宏 |
| 地址: | 513057 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 陶瓷磚 降低 氣泡 生產 方法 | ||
技術領域
本發明涉及微晶類制造技術領域,尤其涉及一種微晶玻璃陶瓷磚及降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法。
背景技術
微晶石又名微晶玻璃陶瓷,屬于高檔裝飾材料。現有的微晶類瓷磚,無論是一次燒還是二次燒、高溫燒成或是低溫燒成的微晶產品,都存在大量的氣泡,而且氣泡大小也各異,在聚光燈的照射下反光效應十分強烈。這樣就嚴重影響了微晶玻璃類陶瓷的美感,降低了產品的品質。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種微晶玻璃陶瓷磚及降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,旨在解決目前微晶玻璃陶瓷存在氣泡影響產品品質的問題。
本發明的技術方案如下:
一種降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,包括以下步驟:
A、施面釉、全拋釉:在干燥好的生坯上施面釉后再施一層全拋釉;
B、施微晶干粒,所述微晶干粒的過篩目數為10-80目,按照重量百分比計所述微晶干粒包括:
10-30目??40-50%;
30-60目??30-40%;
60-80目??15-25%;
C、噴施固定劑;
D、一次燒成,燒成溫度為1500±10℃,燒制時間為60-80分鐘。
所述的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,所述面釉施用量為800*800mm的生坯上施650-750g,比重為1.75-1.85,所述全拋釉的施用量為800*800mm的生坯上施150-250g,比重為1.3-1.4。
所述的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,所述微晶干粒的施用量為800*800mm的生坯上施2500-3500?g,用于制備所述微晶干粒的原料,按重量百分比計包括:
石英粉??????18-27%;
氧化鋁??????15-20%;
白云石??????18-25%;
硼酸????????5-10%;
鋰瓷石??????28-38%;
鉀長石??????5-10?%。
????所述的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,所述固定劑為甲基水;所述甲基水為質量濃度為3-7%的羧甲基纖維素鈉水溶液。
所述的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,所述降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法還包括以下步驟:
S5、放進窯爐進行燒制;
其中,窯爐溫度穩定曲線的面溫為980℃,1000℃,1025℃,1030℃,1050℃,1070℃,1095℃,1120℃,1145℃,1160℃,1170℃,1205℃,1205℃,1205℃,1205℃,1160℃,1000℃;
底溫為910℃,980℃,1025℃,1030℃,1060℃,1080℃,1100℃,1130℃,1160℃,1180℃,1190℃,1195℃,1195℃,1195℃,1195℃,1190℃,1130℃。
一種利用如上所述的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法生產的微晶玻璃陶瓷磚,其中,所述微晶玻璃陶瓷磚包括磚坯、面釉層、全拋釉層和微晶干粒層,所述面釉層、全拋釉層和微晶干粒層從里到外依次設置于磚坯表面。
有益效果:本發明提供一種微晶玻璃陶瓷磚及降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,通過針對微晶干粒成分、干粒過篩目數搭配及燒制溫度的設置實現了降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的目的,使得釉面的氣泡不僅大大降低而且氣泡體積也極微小,微晶層透明度高,釉面顯得清澈干凈。產品品質得以進一步提升。
附圖說明
圖1為本發明的降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法流程圖。
圖2為本發明的微晶玻璃陶瓷磚的結構示意圖。
具體實施方式
本發明提供一種微晶玻璃陶瓷磚及降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確,以下對本發明進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
如圖1所示的一種降低微晶玻璃陶瓷磚氣泡的生產方法,其中,包括以下步驟:
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