[發明專利]一種氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201310005619.7 | 申請日： | 2013-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN103018304A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 文穎;劉桂亭;陳惠芬;宋萍;王小萍;楊海峰 | 申請（專利權）人： | 上海師范大學 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30;C25D15/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227 | 代理人： | 吳瑾瑜 |
| 地址： | 200234 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 石墨 納米 材料 修飾 電極 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極，其特征在于：所述玻碳電極外表面均勻電沉積有氧化鎳及石墨烯納米粒子。
2.一種如權利要求1所述的氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的制備方法，其步驟包括：
（1）將氧化石墨烯超聲分散在超純水中，得到氧化石墨烯膠體溶液，然后把制得的氧化石墨烯膠體溶液與硫酸鎳溶液超聲混合制成電解液；
（2）將潔凈電極浸入步驟（1）中所制得的電解液中，在電極表面恒電位電沉積石墨烯和氧化鎳后晾干、洗滌。
3.根據權利要求2所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（1）的電解液中，氧化石墨烯與Ni離子的配比為1g：3-20mmol。
4.根據權利要求3所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（1）中的電解液的氧化石墨烯與Ni離子的配比為1g：5-10mmol。
5.根據權利要求2所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（1）中的電解液的氧化石墨烯含量為1～4mg/mL。
6.根據權利要求2所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（1）中的電解液中還含有0.02～0.05mol/L硫酸鈉。
7.根據權利要求2所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，恒電位沉積所用電位為-1.0~-1.8V，恒電位沉積所用時間為50~2100秒。
8.根據權利要求7所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，恒電位沉積所用電位為-1.5V，恒電位沉積所用時間為150-200秒。
9.根據權利要求2所述的制備氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，先將電極用0.3μm的鋁粉打磨，然后依次在超純水、無水乙醇、超純水中超聲處理3-5分鐘，晾干后即得潔凈電極。
10.權利要求1所述的氧化鎳-石墨烯納米材料修飾的玻碳電極在檢測對乙酰氨基酚中的應用。
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