[發(fā)明專利]一種疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜、其制法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310005521.1 | 申請日: | 2013-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN103909692B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 湯洋;陳頡 | 申請(專利權(quán))人: | 神華集團有限責(zé)任公司;北京低碳清潔能源研究所 |
| 主分類號: | B32B9/04 | 分類號: | B32B9/04;B32B33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人: | 彭飛,林柏楠 |
| 地址: | 100011 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 導(dǎo)電 氧化物 薄膜 制法 應(yīng)用 | ||
1.一種疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,其包括一層透明導(dǎo)電氧化物基底層、以及從基底層上生長的一層單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層。
2.權(quán)利要求1所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)排布成緊密的陣列。
3.權(quán)利要求1所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述透明導(dǎo)電氧化物基底層為單層或多層堆疊的結(jié)構(gòu);所述透明導(dǎo)電氧化物基底層由透明導(dǎo)電氧化物材料制成,優(yōu)選地,所述材料選自錫摻雜氧化銦(ITO),鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅,氧化鋅(ZnO)和氟摻雜的氧化錫(FTO);更優(yōu)選地,所述材料為氧化鋅(ZnO)或鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅。
4.權(quán)利要求1所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層由至少一種透明導(dǎo)電氧化物材料制成,優(yōu)選地,所述材料選自錫摻雜氧化銦(ITO)、鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅、氧化鋅(ZnO)、氟摻雜的氧化錫(FTO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO2)、氧化銦(In2O3)和二氧化鋯(ZrO2),所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層的材料與透明導(dǎo)電氧化物基底層的材料可以相同或不同;更優(yōu)選地,所述材料為氧化鋅(ZnO)或鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅。
5.權(quán)利要求1至4之一所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述透明導(dǎo)電氧化物基底層的厚度為10nm至2000nm,優(yōu)選60nm至1000nm,更優(yōu)選120nm至700nm。
6.權(quán)利要求1至5之一所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層的厚度為10nm至2000nm,優(yōu)選30nm至1000nm,更優(yōu)選50nm至500nm。每一根納米結(jié)構(gòu)的平均直徑可以為20nm至200nm。
7.權(quán)利要求1至6之一所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層的生長方向與基底層的法線之間的角度范圍為0°至10°。
8.權(quán)利要求1至7之一所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其特征在于,在所述單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層之上還存在一層頂層,所述頂層的材料優(yōu)選為透明導(dǎo)電氧化物、石墨烯、摻雜石墨烯、金屬納米線。
9.權(quán)利要求8所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,所述頂層為單層或多層堆疊的結(jié)構(gòu),其材料可以與基底層、單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列層相同或不同,當(dāng)頂層為透明導(dǎo)電氧化物時,其為多晶或無定形材料,優(yōu)選地,所述材料選自錫摻雜氧化銦(ITO)、鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅、氧化鋅(ZnO)、氟摻雜的氧化錫(FTO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO2)、氧化銦(In2O3)、二氧化鋯(ZrO2);更優(yōu)選地,所述材料為氧化鋅(ZnO)或鋁、鎵、銦和/或硼摻雜的氧化鋅。
10.權(quán)利要求8或9所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜,其頂層的厚度為10nm至1000nm,優(yōu)選30nm至500nm,更優(yōu)選50nm至200nm。
11.一種制備疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜的方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
1)準(zhǔn)備以透明導(dǎo)電氧化物材料構(gòu)成的基底層,
2)在基底層上生長單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列,
3)任選地,在單晶氧化物納米結(jié)構(gòu)陣列之上添加一層由透明導(dǎo)電氧化物材料、石墨烯或納米金屬線構(gòu)成的頂層。
12.權(quán)利要求1至10之一所述的疊層透明導(dǎo)電氧化物薄膜的用途,其特征在于,其可用于太陽能電池、半導(dǎo)體行業(yè)和建筑行業(yè)。
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