[發(fā)明專利]一種高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310005001.0
• 申請(qǐng)日: 2013-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN103050634A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁桃利;牟強(qiáng);張方輝;馬穎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陜西科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬(wàn)壽

1.一種高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：包括玻璃基板（10），以及自下而上依次層疊在玻璃基板（10）上的陽(yáng)極（9）、空穴注入層（8）、空穴傳輸層（7）、發(fā)光層（6）、電子傳輸層、電子注入層（2）以及陰極（1）；所述的電子傳輸層分為上電子傳輸層（3）和下電子傳輸層（5），且在上電子傳輸層（3）和下電子傳輸層（5）之間設(shè)置有柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4），所述的陰極（1）與柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）之間并聯(lián)電壓U1，陽(yáng)極（9）與柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）之間并聯(lián)電壓U2。

2.根據(jù)權(quán)利要求書1所述的高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）為由覆膜部分（11）和鏤空部分（12）組成的鏤空網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求書2所述的高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）的厚度為3~5nm，且覆膜部分（11）的寬度為鏤空部分（12）的1/3~1/4。

4.根據(jù)權(quán)利要求書1所述的高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述的上電子傳輸層（3）、下電子傳輸層（5）采用同種有機(jī)材料，且上電子傳輸層（3）的厚度為下電子傳輸層（5）的4~5倍。

5.一種高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）首先，將干凈的玻璃基板（10）烘干后放入真空室中，依次在玻璃基板（10）上蒸鍍陽(yáng)極（9）、空穴注入層（8）、空穴傳輸層（7）、發(fā)光層（6）、下電子傳輸層（5）；

2）然后，使用覆膜部分（11）的寬度為鏤空部分（12）的1/3~1/4的鏤空網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的柵格掩膜板向下電子傳輸層（5）上蒸鍍厚度為3~5nm的柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）；

3）最后向柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）上依次蒸鍍下電子傳輸層（3）、電子注入層（2）以及陰極（1）；在陰極（1）與柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）之間施加電壓U1，在柵格結(jié)構(gòu)的Al膜電極層（4）與陽(yáng)極（9）之間施加電壓U2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高電子注入效率有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述蒸鍍時(shí)的真空度為10^-4Pa。