[發明專利]應力降低裝置

有效

• 申請號: 201310004946.0
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN103681587B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 莊曜群;徐語晨;劉浩君;莊其達;郭正錚;陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體結構，包括：

多個連接件，形成在第一半導體管芯的頂面上；

第二半導體管芯，形成在所述第一半導體管芯上并且通過所述多個連接件與所述第一半導體管芯連接；

第一偽導電平面，形成在所述第一半導體管芯的第一邊緣和所述多個連接件之間，并且，所述第一偽導電平面的外緣與所述第一半導體管芯的第一邊緣對齊，其中所述第一偽導電平面的外緣與第一距中性點距離(DNP)方向形成第一角度，其中所述第一角度小于或者等于45度；以及

第二偽導電平面，形成在所述多個連接件和所述第一半導體管芯的第二邊緣之間，并且所述第二偽導電平面的外緣與所述第一半導體管芯的第二邊緣對齊。

2.根據權利要求1所述的結構，其中，所述多個連接件由焊料形成。

3.根據權利要求1所述的結構，其中，所述多個連接件由銅形成。

4.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一偽導電平面由銅形成。

5.根據權利要求1所述的結構，其中，所述第一偽導電平面的邊緣與所述第二半導體管芯的邊緣分開水平距離，其中所述水平距離大于50μm。

6.根據權利要求5所述的結構，其中，

所述第一偽導電平面具有20μm至500μm的第一寬度；以及

所述第二偽導電平面具有20μm至500μm的第二寬度。

7.一種半導體器件，包括：

襯底，包含硅；

第一金屬層，形成在所述襯底上方；

第一介電層，形成在所述第一金屬層上；

第二金屬層，形成在所述第一介電層上；

第一鈍化層，形成在所述第二金屬層上方；

第二鈍化層，形成在所述第一鈍化層上方；

接合焊盤，嵌入所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中；

聚合物層，形成在所述第二鈍化層上；以及

連接件、第一偽平面和第二偽平面，形成在所述聚合物層上方，其中：

所述第一偽平面形成在所述襯底的第一邊緣和所述連接件之間，并且所述第一偽平面的外緣與所述襯底的第一邊緣對齊，并且所述第一偽平面的外緣與第一距中性點距離(DNP)方向形成第一角度，其中所述第一角度小于或者等于45度；

所述第二偽平面形成在所述連接件和所述襯底的第二邊緣之間，并且所述第二偽平面的外緣與所述襯底的第二邊緣對齊。

8.根據權利要求7所述的器件，還包括：在所述襯底上方形成并且通過所述連接件與所述襯底連接的第二半導體管芯。

9.根據權利要求8所述的器件，還包括：在所述襯底的頂面和所述第二半導體管芯之間形成的底部填充層，其中所述連接件和所述第一偽平面嵌入所述底部填充層中。

10.根據權利要求9所述的器件，其中，所述底部填充層由環氧樹脂形成。

11.根據權利要求7所述的器件，其中，所述聚合物層包含聚酰亞胺。

12.根據權利要求7所述的器件，其中，所述接合焊盤包含鋁。

13.根據權利要求7所述的器件，還包括：在所述接合焊盤上方形成的凸塊下金屬化結構。

14.一種形成半導體結構的方法，包括：

在第一襯底上方沉積保護層；

在所述保護層上方形成凸塊下金屬化結構；

在所述凸塊下金屬化結構上方形成連接件；以及

在所述保護層上方形成第一偽平面，其中所述第一偽平面位于所述連接件和所述第一襯底的第一邊緣之間，并且其中：

所述第一偽平面的外緣與所述第一襯底的第一邊緣對齊，所述第一偽平面的外緣與第一距中性點距離(DNP)方向形成第一角度，其中所述第一角度小于或者等于45度；

在所述連接件和所述第一襯底的第二邊緣之間形成第二偽平面，并且所述第二偽平面的外緣與所述第一襯底的第二邊緣對齊。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：

所述第一偽平面和所述第二偽平面在所述第一襯底的角部具有共同節點，并且所述第一偽平面的第一邊緣和所述第二偽平面的第二邊緣形成等于90度的角。

16.根據權利要求14所述的方法，還包括：

形成第三偽平面，其中所述第三偽平面位于所述第一偽平面和所述連接件之間。