[發(fā)明專利]LED芯片切割方法及其制備的LED芯片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310004858.0
• 申請(qǐng)日: 2013-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN103022284A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳家洛;陳立人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 張漢欽

1.一種LED芯片切割方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）提供具有GaN外延發(fā)光層的半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底正面進(jìn)行激光劃片形成溝槽以分割晶粒，采用濕法腐蝕方法腐蝕激光燒蝕區(qū)域以在溝槽內(nèi)形成粗化表面，在此基礎(chǔ)上完成后續(xù)芯片制造；

（2）將半導(dǎo)體襯底減薄、拋光之后再鍍制背面反射鏡；

（3）在半導(dǎo)體襯底背面進(jìn)行激光隱形切割，切割位置與半導(dǎo)體襯底正面的溝槽在水平方向上錯(cuò)開；

（4）沿隱形切割位置將芯片劈裂開，此時(shí)沿半導(dǎo)體襯底正面的溝槽底部與半導(dǎo)體襯底背面的隱形切割位置之間裂開形成具有斜裂面的“ㄣ”形斷面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于：所述的“ㄣ”形斷面的斜裂面的傾角隨著芯片尺寸的增大而減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片切割方法，其特征在于：通過減小半導(dǎo)體襯底背面的切割深度以減小“ㄣ”形斷面的斜裂面的傾角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片切割方法，其特征在于：所述的半導(dǎo)體襯底的材料包括藍(lán)寶石、氧化鋅、氮化鎵或者碳化硅。

5.一種根據(jù)以上任一權(quán)利要求所述的LED芯片切割方法所制備的LED芯片，其特征在于：所述的LED芯片的邊緣呈具有斜裂面的“ㄣ”形斷面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述的“ㄣ”形斷面具有粗化表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的LED芯片，其特征在于：所述的“ㄣ”形斷面的斜裂面的傾角隨著芯片尺寸的增大而減小。