[發明專利]一種利用CdTe量子點熒光探針檢測痕量土霉素的方法

無效

• 申請號: 201310004659.X
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN103076316A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 陶慧林;黎舒懷;徐銘澤;曾秋蓮
• 申請（專利權）人: 桂林理工大學
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種利用CdTe量子點熒光探針檢測痕量土霉素的方法，其特征在于具體步驟為：

CdTe量子點的制備：

（1）稱取0.03~0.06g?碲粉和0.10~0.2?g?NaBH₄置于潔凈的三口燒瓶中，混合均勻，加入2?~5mL二次去離子水，在65℃水浴和磁力攪拌下反應20分鐘，得到NaHTe水溶液；

（2）在氮氣保護下，在200?mL濃度為0.002~0.004mol/L的CdCl₂水溶液中，加入0.10?~0.20mL分析純巰基乙酸，調節pH為10~11，強攪拌下，迅速加入2.0?mL?步驟（一）第1步所得的NaHTe水溶液，于95℃下回流1.5~3小時，獲得水溶性CdTe量子點；

（3）將步驟（一）第2步制得的CdTe量子點分別放入透析袋中，用pH=8.6的Tris-HCl緩沖溶液透析過夜，透析后的溶液真空干燥，再用pH=8.6的Tris-HCl緩沖溶液溶解，制得CdTe量子點溶液；

二、檢測方法：

分別將500μL步驟（一）第3步制備得到的CdTe量子點溶液、10μL?聚乙烯醇表面活性劑和10~20?μL土霉素溶液加入到5mL的比色管中，用0.05?mol/L的Tris-HCl緩沖溶液定容至刻度，Tris-HCl緩沖溶液pH=8.6，比色管中土霉素的濃度為8×10^-9~2×10^-7?mol/L；反應充分后用RF-5301PC熒光光度計進行熒光強度檢測，激發波長為400?nm，激發和發射狹縫寬度均為5nm；

三、工作曲線的繪制：

在5?mL比色管中分別加入500μL步驟（一）第3步制備得到的CdTe量子點溶液、10μL?聚乙烯醇表面活性劑、10~20?μL土霉素溶液，用0.05mol/L的Tris-HCl緩沖溶液定容至刻度，Tris-HCl緩沖溶液pH=8.6，比色管中土霉素的濃度為8×10^-9~2×10^-7?mol/L，充分搖勻后放置反應3分鐘，進行熒光強度檢測；土霉素在8×10^-9~2×10^-7mol/L范圍內，土霉素的濃度C與熒光猝滅量即△I_F呈良好的線性關系，其線性回歸方程為：ΔI_F?=?0.696?C?+?4.525，線性相關系數r?=?0.9996。