[發明專利]混合鰭式場效應晶體管

有效

• 申請號: 201310003122.1
• 申請日: 2013-01-05
• 公開（公告）號: CN103383965A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 克里希納·庫馬爾·布瓦爾卡
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

第一鰭式場效應晶體管(FinFET)，包括：

第一溝道區，由第一半導體鰭形成；

第一柵極絕緣體，位于所述第一溝道區的側壁上；

第一柵電極，位于所述第一柵極絕緣體上方；以及

第一源極區和第一漏極區，連接至所述第一溝道區的相對端部，其中，所述第一源極區和所述第一漏極區為第一導電類型；以及第二FinFET，包括：

第二溝道區，由第二半導體鰭形成；

第二柵極絕緣體，位于所述第二溝道區的側壁上；

第二柵電極，位于所述第二柵極絕緣體上方，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極互連；

第二源極區，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，其中，所述第一源極區和所述第二源極區電互連；以及

第二漏極區，具有所述第一導電類型，其中，所述第二源極區和所述第二漏極區連接至所述第二溝道區的相對端部，并且所述第一漏極區和所述第二漏極區電互連。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極是連續柵電極的部分，并且所述器件進一步包括：

公共源極接觸件，互連所述第一源極區和所述第二源極區；以及

公共漏極接觸件，互連所述第一漏極區和所述第二漏極區。

3.根據權利要求1所述的器件，進一步包括包含半導體材料的溝道分離件，其中，所述第一溝道區和所述第二溝道區與所述溝道分離件的相對側壁接觸，并且所述溝道分離件由與所述第一溝道區和所述第二溝道區的材料不同的材料形成。

4.根據權利要求1所述的器件：

其中，所述第一FinFET進一步包括：

第一溝道分離件；和

第三源極區，所述第一源極區和所述第三源極區與所述溝道分離件的相對側面接觸，并且所述第三源極區為所述第一導電類型；以及其中，所述第二FinFET進一步包括：

第二溝道分離件；以及

第四源極區，所述第二源極區和所述第四源極區與所述第二溝道分離件的相對側壁接觸，并且所述第四源極區為所述第二導電類型。

5.一種混合鰭式場效應晶體管(FinFET)，包括：

鰭，包括：

溝道分離件，具有第一帶隙；和

溝道，包括位于所述溝道分離件的相對側壁上的第一部分和第二部分，所述溝道具有不同于所述第一帶隙的第二帶隙；

漏極，包括第一導電類型的第一部分和第二部分；以及

源極，包括：

所述第一導電類型的第一部分，所述源極的第一部分和所述漏極的第一部分位于所述溝道分離件的第一側上并且連接至所述溝道的第一部分的相對端部；以及

與所述第一導電類型相反的第二導電類型的第二部分，所述源極的第二部分和所述漏極的第二部分位于所述溝道分離件的與所述第一側相對的第二側上并且連接至所述溝道的第二部分的相對端部。

6.根據權利要求5所述的混合FinFET，進一步包括：

柵電極，包括位于所述鰭的相對側上的第一部分和第二部分；以及

柵極絕緣體，包括位于所述柵電極的第一部分和所述溝道的第一部分之間的第一部分以及位于所述柵電極的第二部分和所述溝道的第二部分之間的第二部分。

7.根據權利要求5所述的混合FinFET，進一步包括：

源極接觸件，電連接至所述源極的第一部分和第二部分；以及

漏極接觸件，電連接至所述漏極的第一部分和第二部分。