[發明專利]高壓覆晶LED結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201310002699.0
• 申請日: 2013-01-05
• 公開（公告）號: CN103915530A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 陳明鴻;許世昌
• 申請（專利權）人: 海立爾股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L27/15;H01L33/36
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧

1.一種高壓覆晶LED結構的制造方法，其特征在于包括：

提供芯片基板，其中該芯片基板包括：藍寶石基板；及多個LED芯片，彼此分離地形成于該藍寶石基板上，每一該LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導電氧化物層，且該N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；

沉積第一鈍化層，其在所述LED芯片周圍沉積該第一鈍化層；

形成共電連層，其在除去位在每一該透明導電氧化物層及每一該N型表面上的該第一鈍化層后，分別于每一該透明導電氧化物層及每一該N型表面上形成第一電連層及第二電連層，并形成第三電連層以連接該LED芯片的該第一電連層及相鄰的另一該LED芯片的該第二電連層，該第一電連層、該第二電連層及該第三電連層構成該共電連層；

沉積第二鈍化層，其沉積于該第一鈍化層及該共電連層上并形成平坦的鈍化表面；

沉積鏡面層，其在該鈍化表面上沉積該鏡面層；

蝕刻兩導電通道，其分別由該鏡面層往下蝕刻至該第一LED芯片的該第一電連層及往下蝕刻至該第二LED芯片的該第二電連層以形成所述導電通道；以及

設置兩接合金屬層，其分別在每一該導電通道填充接合金屬，并設置所述接合金屬層于該鏡面層上，以分別與該接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分離。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于進一步包括形成多個微結構于該藍寶石基板的背側表面。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于進一步包括結合電路板，其以所述接合金屬層與該電路板上的導電金屬電性連接。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于其中該金屬為鋁或銀。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。

7.一種高壓覆晶LED結構，其特征在于包括：

芯片基板，其中該芯片基板包括：藍寶石基板；及多個LED芯片，彼此分離地形成于該藍寶石基板上，每一該LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導電氧化物層，且該N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；

第一鈍化層，其設置于每一該LED芯片的側邊；

共電連層，其包括：第一電連層，其位于每一該透明導電氧化物層上；第二電連層，其位于每一該N型表面上；及第三電連層，其連接每一相鄰的該第一電連層及該第二電連層并覆蓋于每一該LED芯片側邊的該第一鈍化層；

第二鈍化層，其包覆該第一鈍化層及該共電連層以形成平坦的鈍化表面；

鏡面層，其設置于該鈍化表面上；

兩接合金屬，其穿過該鏡面層及該第二鈍化層以分別與該第一LED芯片的該第一電連層及該第二LED芯片的該第二電連層相接；以及

兩接合金屬層，其分別設置于該鏡面層上并與所述接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分離。

8.如權利要求7所述的高壓覆晶LED結構，其特征在于其進一步包括電路板，其以導電金屬與所述接合金屬層電性連接。

9.如權利要求7所述的高壓覆晶LED結構，其特征在于其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。

10.如權利要求9所述的高壓覆晶LED結構，其特征在于其中該金屬為鋁或銀。

11.如權利要求7所述的高壓覆晶LED結構，其特征在于其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。

12.如權利要求7所述的高壓覆晶LED結構，其特征在于其中該藍寶石基板的背側表面進一步包括多個微結構。