[發明專利]一種CSAMT縱向分辨率判定和一維真電阻率精細反演方法

有效

• 申請號: 201310002346.0
• 申請日: 2013-01-05
• 公開（公告）號: CN103064122A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 閆述
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G01V3/08
• 分類號: G01V3/08;G01R27/02
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 盧亞麗

1.一種CSAMT縱向分辨率判定和一維真電阻率精細反演方法，其特征在于包括以下步驟：第一步，以頻點數為標志的縱向分辨率上限判別；第二步：真電阻率一維精細反演兩個步驟。?

2.根據權利要求1所述的一種CSAMT縱向分辨率判定和一維真電阻率精細反演方法，其特征在于所述的以頻點數為標志的縱向分辨率上限判別步驟為按照一定的規則為CSAMT曲線的頻點從高頻向低頻遞增的順序編號，具體包括以下過程：?

過程一：從標準離差最小的測點f(i)開始，先向一端，如高頻端方向間隔一個頻點，比較f(i)和f(i+2)的線性插值與中間點f(i+1)的誤差，如果小于中間點值與標準離差的乘積，即?

將中間頻點f(i+1)舍去，將上式的中間頻點f(i+1)換成f(i+2)、原來的f(i+2)換成f(i+3)，依此類推；若公式（1）不成立，則將上式中的f(i)、f(i+2)和f(i+1)分別換成f(i+1)、f(i+3)和f(i+2)；?

過程二：以上第一步過程反復進行，直到高頻漸近線開始的頻點，如果沒有出現高頻漸近線，到高頻端最后一個頻點結束；?

過程三：從f(i)向低頻端進行這樣的過程，直到低頻漸近線開始的頻點，或到低頻端最后一個頻點，所述公式（1）變為?

利用所述公式（1）和所述公式（2）篩選后的頻點數，作為一維層狀大地情況下，CSAMT能夠分辨的最多地層層數，所述頻點數也可作為二維、三維勘探中需要的最多頻點數；公式（1）和（2）中Theory為理論研究或勘探設計時以接收機靈敏度作為判據、所述Amplitude為以實測值和標準離差%的乘積作為振幅的判據、所述Phase為以標準離差作為實測相位的判據。?

3.如權利要2所述的一種CSAMT縱向分辨率判定和一維真電阻率精細反演方法，其特?征在于：所述的從高頻向低頻遞增的順序編號也可從低頻向高頻遞增的順序編號或以其它方式編號，判別原則不變。?

4.根據權利要求1所述的一種CSAMT縱向分辨率判定和一維真電阻率精細反演方法，其特征在于所述的一維真電阻率精細反演步驟具體包括以下過程：?

過程一：利用改進的廣義逆矩陣等反演算法，用所述公式（1）和（2）確定的最大地層層數作為一維曲線擬合反演層數；?

過程二：根據測區電測井資料提供的地層電阻率和厚度，作為反演的初始參數，層數不超過縱向分辨率判定后的頻點數，鉆井柱狀表達的地層數如果小于該頻點數時增加層位，鉆井柱狀表達的地層數大于該頻點數時根據CSAMT勘探的一般理論合并層位，如某些層位的電阻率或厚度是確知的，可用控制變量在反演中保持不變；?

過程三：如果實測曲線有遠區漸近線，利用視電阻率公式?

（3）?

獲取大地表層電阻率ρ₁，作為第一層的電阻率，式中r為場點到源點的距離，θ為r與偶極源中垂線的夾角，ω＝2πf為圓頻率、其中f為頻率，I為發射電流，l為發射偶極長度，μ₀＝4π×10^-7為非磁性大地的磁導率；如果實測曲線未出現遠區漸近線，在各測點可用小極矩直流電阻率法實測大地表層電阻率。?