[發明專利]微納尺度材料賽貝克系數的測量機構及其制備方法有效
| 申請號: | 201310002129.1 | 申請日: | 2013-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN103048350A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 毛海央;歐文;歐毅;陳大鵬 | 申請(專利權)人: | 江蘇物聯網研究發展中心 |
| 主分類號: | G01N25/00 | 分類號: | G01N25/00;G01N25/20 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 尺度 材料 貝克 系數 測量 機構 及其 制備 方法 | ||
1.一種微納尺度材料賽貝克系數的測量機構,包括襯底(101),其特征在于:所述襯底(101)上設有釋放阻擋帶(302),所述釋放阻擋帶(302)內封閉有熱隔離腔體(901);所述熱隔離腔體(901)的正上方設有一對熱電偶,即第一熱偶條(8)和第二熱偶條(9),第一熱偶條(8)和第二熱偶條(9)的材料特性不同;熱隔離腔體(901)的上方一側設置有第一加熱電阻條(10),上方另一側設置有第二加熱電阻條(11);第一加熱電阻條(10)的電阻值小于第二加熱電阻條(11)的電阻值;所述第一加熱電阻條(10)的兩端分別連接第二金屬電極(2)和第三金屬電極(3);所述第二加熱電阻條(11)的兩端分別連接第四金屬電極(4)和第五金屬電極(5);
第一金屬電極(1)位于第一加熱電阻條(10)之上,且通過釋放保護膜(501)和電絕緣熱導通結構(601)實現與第一加熱電阻條(10)的電學隔離和熱學導通;所述第一金屬電極(1)連接第一熱偶條(8)的一端和第二熱偶條(9)的一端;
第一熱偶條(8)的另一端和第二熱偶條(9)的另一端分別連接第六金屬電極(6)和第七金屬電極(7);所述第六金屬電極(6)和第七金屬電極(7)位于第二加熱電阻條(11)之上,且通過釋放保護膜(501)和電絕緣熱導通結構(601)實現與第二加熱電阻條(11)的電學隔離和熱學導通。
2.如權利要求1所述的微納尺度材料賽貝克系數的測量機構,其特征在于:所述熱電偶對中第一熱偶條(8)采用P型摻雜的多晶硅,第二熱偶條(9)采用N型摻雜的多晶硅;或者所述熱電偶對中第一熱偶條(8)采用N型摻雜的多晶硅,第二熱偶條(9)采用P型摻雜的多晶硅。
3.如權利要求1或2所述的微納尺度材料賽貝克系數的測量機構,其特征在于:所述第一加熱電阻條(10)的電阻值和第二加熱電阻條(11)的電阻值通過改變加熱電阻條(402)的摻雜濃度和/或調整加熱電阻條(402)的尺寸參數得到所需的電阻值。
4.一種微納尺度材料賽貝克系數的級聯測量機構,包括襯底(101),其特征在于:所述襯底(101)上設有釋放阻擋帶(302),所述釋放阻擋帶(302)內封閉有熱隔離腔體(901);熱隔離腔體(901)的上方一側設置有第一加熱電阻條(10),上方另一側設置有第二加熱電阻條(11);第一加熱電阻條(10)的電阻值小于第二加熱電阻條(11)的電阻值;所述第一加熱電阻條(10)的兩端分別連接第二金屬電極(2)和第三金屬電極(3);所述第二加熱電阻條(11)的兩端分別連接第四金屬電極(4)和第五金屬電極(5);
所述熱隔離腔體(901)的正上方并行設有多對熱電偶,每對熱電偶包括第一熱偶條(8)和第二熱偶條(9),第一熱偶條(8)和第二熱偶條(9)的材料特性不同;對應每對熱電偶設置一個第一金屬電極(1)、一個第六金屬電極(6)和一個第七金屬電極(7);
每對熱電偶對應的第一金屬電極(1)位于第一加熱電阻條(10)之上,且通過釋放保護膜(501)和電絕緣熱導通結構(601)實現與第一加熱電阻條(10)的電學隔離和熱學導通;每對熱電偶的第一熱偶條(8)的一端和第二熱偶條(9)的一端連接對應的第一金屬電極(1);
每對熱電偶對應的第六金屬電極(6)和第七金屬電極(7)位于第二加熱電阻條(11)之上,且通過釋放保護膜(501)和電絕緣熱導通結構(601)實現與第二加熱電阻條(11)的電學隔離和熱學導通;每對熱電偶的第一熱偶條(8)的另一端和第二熱偶條(9)的另一端分別連接第六金屬電極(6)和第七金屬電極(7);
多對熱電偶之間形成級聯連接,本級熱電偶對對應的第六金屬電極(6)連接上一級熱電偶對對應的第七金屬電極(7);本級熱電偶對對應的第七金屬電極(7)連接下一級熱電偶對對應的第六金屬電極(6)。
5.如權利要求4所述的微納尺度材料賽貝克系數的級聯測量機構,其特征在于:所述熱電偶對中第一熱偶條(8)采用P型摻雜的多晶硅,第二熱偶條(9)采用N型摻雜的多晶硅;或者所述熱電偶對中第一熱偶條(8)采用N型摻雜的多晶硅,第二熱偶條(9)采用P型摻雜的多晶硅。
6.如權利要求4或5所述的微納尺度材料賽貝克系數的級聯測量機構,其特征在于:所述第一加熱電阻條(10)的電阻值和第二加熱電阻條(11)的電阻值通過改變加熱電阻條(402)的摻雜濃度和/或調整加熱電阻條(402)的尺寸參數得到所需的電阻值。
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