[發明專利]一種考慮非均勻襯底溫度的二維熱電制冷器電學模型

無效

• 申請號: 201310001963.9
• 申請日: 2013-01-04
• 公開（公告）號: CN103093086A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王寧;汪健;陳亞寧;王少軒;張磊;趙忠惠
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心
• 主分類號: G06F19/00
• 分類號: G06F19/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種考慮非均勻襯底溫度的二維熱電制冷器電學模型，其特征是，

集成TEC襯底的封裝中，TEC襯底上下兩面通過熱膠分別與冷卻板、熱沉粘接，冷卻板的另一面設置有芯片；當電流流過TEC時，通過熱膠在冷卻板表面形成吸熱而在熱沉表面形成放熱狀態，通過冷卻板吸熱而降低芯片表面溫度；

考慮了溫度相關的離散材料參數對TEC性能的影響，

考慮多級熱電耦合對水平和垂直方向溫度分布效應，建立二維穩態熱方程，

A2k(Tx,Ty)∂2T(x,y)∂x2+A2dk(Tx,Ty)dT(∂T(x,y)∂x)2]]>

=AIT(x,y)ds(Tx,Ty)dT∂T(x,y)∂x-I2ρ(Tx,Ty)]]>

式中，I為流經TEC電流，A為襯底橫截面尺寸，T(x,y)為坐標為（x,y）溫度，s(T_x，T_y)、κ(T_x，T_y)與ρ(T_x，T_y)分別為(T_x，T_y)溫度下TEC材料的二維塞貝克系數、熱導率和電阻率。