[發(fā)明專利]宇航用耐輻照電纜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310001849.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103021575A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李峰;歐榮金;石磊;許憲成;樊群;李春紅;陳祥樓;成紹強(qiáng);賴洪林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京全信傳輸科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B13/00 | 分類號(hào): | H01B13/00;H01B7/17;H01B7/28;H01B7/29 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210036 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 宇航 輻照 電纜 制備 方法 | ||
1.宇航用耐輻照電纜的制備方法,其特征是宇航用耐輻照電纜的結(jié)構(gòu)為單芯有屏蔽無護(hù)套電纜結(jié)構(gòu),每芯電纜采用多股鍍鎳銅絲絞合的導(dǎo)體(1),導(dǎo)體(1)的外圍是采用聚酰亞胺PI材料繞包+聚醚醚酮PEEK擠出+聚酰亞胺PI繞包的復(fù)合絕緣層(2),絕緣層(2)的外圍是由采用半導(dǎo)電PEEK擠出的半導(dǎo)電層(3);半導(dǎo)電層(3)?的外圍是采用鍍鎳銅絲編織的屏蔽層(4);其制備方法,包括如下工藝步驟:
1)采用19根0.26mm鍍鎳圓銅絲絞合,經(jīng)過壓縮模具,獲得1.23±0.03mm的絞合導(dǎo)體;
2)采用同心式繞包機(jī)繞包0.0254mm厚度的聚酰亞胺PI帶3層,搭蓋率為67%~70%;
3)繞包后,再采用擠出機(jī)擠出0.30mm厚度的聚醚醚酮PEEK純料,獲得聚醚醚酮PEEK層,使聚醚醚酮PEEK的耐溫等級(jí)能達(dá)到260℃;
4)再采用繞包機(jī)繞包0.0254mm厚度的聚酰亞胺PI帶3層,繞包搭蓋率處于67%~70%之間,形成聚酰亞胺PI+聚醚醚酮PEEK+聚酰亞胺PI的復(fù)合絕緣層;
5)采用體積電阻率在103~107Ω·cm間的聚醚醚酮PEEK半導(dǎo)電料,用擠出機(jī)擠出0.20mm厚度的聚醚醚酮PEEK半導(dǎo)電料,形成半導(dǎo)電層,使半導(dǎo)電層具有防靜電的效果;
6)最后采用直徑0.15mm鍍鎳圓銅線編織屏蔽,屏蔽密度不小于98%,形成成品,成品外徑不大于4.2mm。
2.如權(quán)利要求1所述的宇航用耐輻照電纜的用途,電纜在―100℃下正常敷設(shè)安裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的宇航用耐輻照電纜制備方法,其特征是所述的宇航用耐輻照電纜的絕緣層(2)為聚酰亞胺PI+聚醚醚酮PEEK+聚酰亞胺PI的復(fù)合絕緣結(jié)構(gòu),半導(dǎo)電層(3)為聚醚醚酮PEEK半導(dǎo)電層,電纜耐高低溫達(dá)-100℃~+260℃,耐輻照達(dá)2×109rad,抗靜電放電。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京全信傳輸科技股份有限公司,未經(jīng)南京全信傳輸科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310001849.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:脫鹽系統(tǒng)和方法
- 下一篇:一種清痘修復(fù)霜





