[發明專利]等離子體處理腔室及其靜電夾盤以及基片溫度控制方法

有效

• 申請號: 201310001226.9
• 申請日: 2013-01-05
• 公開（公告）號: CN103915309A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 王洪青;左濤濤;吳狄
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;G05D23/30
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種用于等離子體處理腔室的靜電夾盤，其中，所述靜電夾盤包括：

頂層絕緣層，其中內嵌有一直流電極；

靜電夾盤基體，所述靜電夾盤基體包括頂板、底板、側壁，所述頂板、底板和側壁裝配在一起形成一空間，所述底板上設置有若干冷卻液分割裝置，相鄰的冷卻液分割裝置之間形成了冷卻液通道，

其中，在所述冷卻液分割裝置之上還設置有一隔板，所述隔板和所述頂板之間具有第一空間，所述隔板具有至少一個閥門。

2.根據權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述靜電夾盤還包括一控制裝置，所述控制裝置控制所述閥門的開啟和關閉。

3.根據權利要求2所述的靜電夾盤，其特征在于，所述閥門開啟時與位于底板上的其中一個冷卻液通道連通。

4.根據權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，若干所述冷卻液通道螺旋形地排布在所述底板上。

5.根據權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，若干所述冷卻液通道相互平行地橫向排布在所述底板上。

6.根據權利要求1所述的靜電夾盤，其特征在于，所述頂層絕緣層中還包括一加熱層，所述加熱層位于所述直流電極之下，所述加熱層和所述直流電極之間還包括一隔離層。

7.根據權利要求6所述的靜電夾盤，其特征在于，所述加熱層包括鋁板。

8.一種等離子體處理腔室，其特征在于，所述等離子體處理腔室包括權利要求1至7任一項所述的靜電夾盤。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述等離子體處理腔室的靜電夾盤下方設置有一冷卻液循環裝置，其連接于所述冷卻液通道，其對所述冷卻液通道中的冷卻液進行循環。

10.一種用于等離子體處理腔室的基片的溫度控制方法，其中，所述等離子體處理腔室包括權利要求1至7任一項所述的靜電夾盤，其特征在于，所述溫度控制方法包括如下步驟：

-當需要對基片溫度加熱時，關閉位于所述隔板上的閥門；

-當需要對基片降溫時，開啟所述隔板上的閥門。