[發明專利]有機金屬化學氣相沉積裝置和方法

有效

• 申請號: 201310001157.1
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN103103502A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 陳周
• 申請（專利權）人: 麗佳達普株式會社
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/34;C30B25/08;C30B29/40
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種有機金屬化學氣相沉積方法，包括：

將襯底從緩沖室傳送到第一反應室；

在所述第一反應室中，在所述襯底上生長未摻雜層、n-型摻雜層、和活性層；

將所述襯底從所述第一反應室傳送到第二反應室；以及

在所述活性層上形成p-型摻雜層。

2.根據權利要求1所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，在將所述襯底從所述緩沖室傳送到所述第一反應室后，所述方法還包括加熱所述襯底。

3.根據權利要求1所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，在形成所述p-型摻雜層后，所述方法還包括對所述襯底進行退火。

4.根據權利要求3所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，在所述第二反應室中執行對所述襯底的退火。

5.根據權利要求3所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，在所述緩沖室中執行對所述襯底的退火。

6.根據權利要求1所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，將所述襯底從所述第一反應室傳送到所述第二反應室包括：

將所述襯底從所述第一反應室傳送到所述緩沖室；以及

將所述襯底從所述緩沖室傳送到所述第二反應室。

7.根據權利要求1所述的有機金屬化學氣相沉積方法，其中，在將所述襯底從所述第一反應室傳送到所述第二反應室后，所述方法還包括將另一個襯底傳送到所述第一反應室中。