[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280077851.5
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN104871301A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杉本博司;中村卓譽(yù)
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，該碳化硅半導(dǎo)體裝置(10、10A)具有元件構(gòu)造(1、1A)，該元件構(gòu)造(1、1A)具有形成在第1導(dǎo)電型的碳化硅半導(dǎo)體襯底上的第1導(dǎo)電型的外延層、和與所述外延層接觸而形成的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)層，

該碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述外延層和所述雜質(zhì)層之間的正向通電的特性進(jìn)行檢測的工序(a)；

基于所述工序(a)的檢測結(jié)果，將所述元件構(gòu)造(1、1A)區(qū)分為適合所述正向通電的第1組和不適合所述正向通電的第2組的工序(b)；以及

使用所述第1組的所述元件構(gòu)造(1)制造需要該元件構(gòu)造中的正向通電的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10)，使用所述第2組的所述元件構(gòu)造(1A)制造不需要該元件構(gòu)造中的正向通電的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10A)的工序(c)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(c)在對使用所述第1組的所述元件構(gòu)造(1)的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10)進(jìn)行制造的情況下、和對使用所述第2組的所述元件構(gòu)造(1A)的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10A)進(jìn)行制造的情況下，使用不同的曝光掩模。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(c)是如下工序，即，在對使用所述第2組的所述元件構(gòu)造(1A)的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10A)進(jìn)行制造的情況下，還搭載二極管(2)，該二極管(2)與所述元件構(gòu)造(1A)并聯(lián)連接，且具有與所述元件構(gòu)造(1A)的正向相同朝向的正向。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是如下工序，即，通過進(jìn)行所述外延層中的晶體缺陷的觀察、所述元件構(gòu)造(1、1A)中的泄漏電流的測量、以及向所述元件構(gòu)造(1、1A)進(jìn)行正向通電的情況下的正向電阻隨時間的變化的測量中的至少1項(xiàng)，對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述正向通電的特性進(jìn)行檢測。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)包含下述工序，即，通過掃描型光致發(fā)光法對所述外延層中的晶體缺陷進(jìn)行觀察，對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述正向通電的特性進(jìn)行檢測。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)包含下述工序，即，通過X光形貌觀察法對所述外延層中的晶體缺陷進(jìn)行觀察，對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述正向通電的特性進(jìn)行檢測。

7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)包含下述工序，即，對以晶錠單位或制造批次單位選擇出的一部分的所述碳化硅半導(dǎo)體襯底的所述外延層中的晶體缺陷進(jìn)行觀察，對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述正向通電的特性進(jìn)行檢測。

8.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，該碳化硅半導(dǎo)體裝置(10、10A)具有元件構(gòu)造(1、1A)，該元件構(gòu)造(1、1A)具有形成在第1導(dǎo)電型的碳化硅半導(dǎo)體襯底上的第1導(dǎo)電型的外延層、和與所述外延層接觸而形成的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)層，

該碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述外延層和所述雜質(zhì)層之間的正向通電的特性進(jìn)行檢測的工序(a)；

使用所述元件構(gòu)造(1、1A)制造所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10、10A)的工序(b)；以及

基于所述工序(a)的檢測結(jié)果，將制造出的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10、10A)區(qū)分為，具有第1組的所述元件構(gòu)造(1)的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10)、和具有第2組的所述元件構(gòu)造(1A)的所述碳化硅半導(dǎo)體裝置(10A)的工序(c)，其中，該第1組的所述元件構(gòu)造(1)適合所述正向通電，該第2組的所述元件構(gòu)造(1A)不適合所述正向通電。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是如下工序，即，通過進(jìn)行所述外延層中的晶體缺陷的觀察、所述元件構(gòu)造(1、1A)中的泄漏電流的測量、以及向所述元件構(gòu)造(1、1A)進(jìn)行正向通電的情況下的正向電阻隨時間的變化的測量中的至少1項(xiàng)，對所述元件構(gòu)造(1、1A)的所述正向通電的特性進(jìn)行檢測。