[發(fā)明專利]可飽和吸收體中的缺陷檢測

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280077608.3
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN104871294A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·A·耶格爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英派爾科技開發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L21/26
• 分類號: H01L21/26
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 孟銳

1.一種使用可飽和吸收體檢測樣品中的一個(gè)或多個(gè)缺陷的方法，包括：

獲取可飽和吸收體在第一入射強(qiáng)度的明視場電磁輻射下的關(guān)于所述可飽和吸收體上的位置的第一反射強(qiáng)度；

獲取所述可飽和吸收體在第二入射強(qiáng)度的明視場電磁輻射下的關(guān)于所述位置的第二反射強(qiáng)度，第二入射強(qiáng)度大于第一入射強(qiáng)度足以至少部分使所述可飽和吸收體的吸收率值飽和的量；

確定對應(yīng)于第二入射強(qiáng)度除以第一入射強(qiáng)度的入射強(qiáng)度比；

確定關(guān)于所述位置的對應(yīng)于第二反射強(qiáng)度除以第一反射強(qiáng)度的反射強(qiáng)度比；

通過確定關(guān)于所述可飽和吸收體上的多個(gè)位置的反射強(qiáng)度比來產(chǎn)生關(guān)于所述可飽和吸收體的反射強(qiáng)度比圖；以及

將所述反射強(qiáng)度比與所述入射強(qiáng)度比進(jìn)行比較以識別所述多個(gè)位置中的一個(gè)或多個(gè)處的一個(gè)或多個(gè)缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括識別在所述可飽和吸收體上的所述反射強(qiáng)度比大于所述入射強(qiáng)度比的位置處不存在缺陷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反射強(qiáng)度比圖是所述一個(gè)或多個(gè)缺陷的圖像。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可飽和吸收體包括以下中的一個(gè)或多個(gè)：石墨烯、碳納米管、半導(dǎo)體和金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述入射強(qiáng)度比為大約2:1至大約200:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電磁輻射的第一入射強(qiáng)度和第二入射強(qiáng)度具有每平方厘米大約0.1瓦至每平方厘米大約500瓦的平均值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電磁輻射的第一入射強(qiáng)度和第二入射強(qiáng)度具有每平方厘米大約0.1瓦至每平方厘米大約500瓦的平均值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電磁輻射具有大約150納米至大約1微米的波長。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電磁輻射是單色的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電磁輻射由以下中的一個(gè)提供：激光器、發(fā)光二極管、氙燈和微波源。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括根據(jù)以下公式從第一反射強(qiáng)度和第二反射強(qiáng)度計(jì)算處理強(qiáng)度：

I_C＝I_A–(I_a/I_b)I_B

其中：

I_C表示處理強(qiáng)度；

I_A表示第一反射強(qiáng)度；

I_B表示第二反射強(qiáng)度；

I_a表示所述可飽和吸收體在第一入射強(qiáng)度的明視場電磁輻射下的第一基準(zhǔn)反射強(qiáng)度；以及

I_b表示所述可飽和吸收體在第二入射強(qiáng)度的明視場電磁輻射下的第二基準(zhǔn)反射強(qiáng)度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括：

獲取所述可飽和吸收體在第三入射強(qiáng)度的暗視場電磁輻射下的關(guān)于所述位置的第三反射強(qiáng)度；以及

根據(jù)以下公式計(jì)算校正的處理強(qiáng)度：

I_C’＝I_C–I_D＝I_A–(I_a/I_b)·I_B-I_D

其中：

I_C’表示校正的處理強(qiáng)度；以及

I_D表示所述可飽和吸收體在第三入射強(qiáng)度下的暗視場電磁輻射下的關(guān)于所述位置的第三反射強(qiáng)度，

其中所述校正的處理強(qiáng)度是針對所述可飽和吸收體上的不飽和表面碎片校正的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過利用以下中的一個(gè)或多個(gè)獲取第一反射強(qiáng)度和第二反射強(qiáng)度：二維電荷耦合器件、線性電荷耦合器件、二維互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件、線性互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體器件和光電倍增管。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，通過以下中的一個(gè)獲取第一反射強(qiáng)度和第二反射強(qiáng)度：光柵掃描、線掃描、凝視陣列成像、共焦成像和時(shí)域成像。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可飽和吸收體基本上是平面的。