[發(fā)明專利]支撐在納米多孔石墨烯上的選擇性膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280077365.3 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN104812470A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·A·米勒;G·L·杜克森 | 申請(專利權(quán))人: | 英派爾科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | B01D61/00 | 分類號: | B01D61/00 |
| 代理公司: | 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313 | 代理人: | 孟銳 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 支撐 納米 多孔 石墨 選擇性 | ||
1.一種復(fù)合膜,包括:
納米多孔石墨烯層,其具有第一面和第二面;
第一選擇性膜,其配置為與所述納米多孔石墨烯層的所述第一面相接觸;以及
多孔支撐襯底,其配置為與所述納米多孔石墨烯層的所述第二面相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述第一選擇性膜包括如下中的一種或多種:聚合物、泡沸石、金屬、金屬有機骨架或陶瓷。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合膜,其中所述第一選擇性膜包括如下中的一種或多種:丙烯腈二乙烯丁二烯、烯丙樹脂、碳纖維、纖維素樹脂、環(huán)氧樹脂、聚亞烴乙烯醇、含氟聚合物、蜜胺甲醛樹脂、酚醛樹脂、聚縮醛、聚丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚丙烯腈、聚亞烴、聚亞烴氨基甲酸鹽、聚亞烴氧化物、聚亞烴化硫、聚亞烴對苯二酸鹽、聚烷基烷基丙烯酸鹽、聚烯烴酰胺、鹵化聚亞烴、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚亞芳基間苯二酰胺、聚亞芳基氧化物、聚亞芳基硫化物、聚芳酰胺、聚亞芳基對苯二亞甲基酰胺、聚亞芳醚酮、聚碳酸酯、聚丁二烯、聚酮、聚酯、聚醚醚酮、聚醚酰亞胺、聚醚砜、聚酰亞胺、聚鄰苯二甲酰胺、聚苯乙烯、聚砜、聚四氟烯烴、聚氨酯、聚乙烯烷基醚、聚乙烯鹵化物、聚偏乙烯鹵化物、硅酮聚合物或其組合或其共聚物。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述第一選擇性膜的特征在于平均厚度在大約10納米至大約1微米的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述多孔支撐襯底包括如下中的一種或多種:編織纖維膜、非編織纖維膜、多孔聚合物膜、多孔陶瓷膜、多孔金屬泡沫或金屬網(wǎng)。
6.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述多孔支撐襯底包括多個孔,所述多個孔的特征在于平均直徑在大約1微米與大約1毫米之間的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述納米多孔石墨烯層是納米多孔石墨烯單層。
8.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,其中所述納米多孔石墨烯層包括多個孔,所述多個孔的特征在于平均直徑在大約2埃與大約1微米之間的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜,還包括第二選擇性膜,所述第二選擇性膜配置為與所述第一選擇性膜相接觸,其中所述第一選擇性膜和所述第二選擇性膜中的至少一個的特征在于平均厚度小于大約1微米。
10.一種制備復(fù)合膜的方法,包括:
將第一選擇性膜沉積在納米多孔石墨烯層的第二表面上,其中所述納米多孔石墨烯層的第一表面被配置為與無孔支撐襯底相接觸;
將所述納米多孔石墨烯層連同所述第一選擇性膜一起從所述無孔支撐襯底上移除;以及
使所述納米多孔石墨烯層的所述第二表面與多孔支撐襯底相接觸以形成所述復(fù)合膜。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括:
在無孔生長襯底上生長石墨烯;以及
將所述石墨烯穿孔以形成所述納米多孔石墨烯層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中將所述石墨烯穿孔以形成所述納米多孔石墨烯層包括通過如下一種或多種方法來穿孔:電子束蝕刻、離子束蝕刻、原子提取、膠體晶體刻蝕、嵌段共聚物刻蝕、或光刻法。
13.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括:將所述納米多孔石墨烯層從所述無孔生長襯底轉(zhuǎn)移到所述無孔支撐襯底。
14.如權(quán)利要求11所述的方法,還包括:選擇對應(yīng)于所述無孔支撐襯底的所述無孔生長襯底。
15.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括:選擇對應(yīng)于納米多孔石墨烯單層的所述納米多孔石墨烯層。
16.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括:選擇包括多個孔的所述納米多孔石墨烯層,所述多個孔的特征在于平均直徑在大約2埃與大約1微米之間的范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求10所述的方法,其中沉積所述第一選擇性膜包括通過如下一種或多種方法來沉積:溶液沉積、電沉積、旋涂、浸漬涂敷、化學(xué)生長沉積、聚合、析出、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、濺射或蒸發(fā)式沉積。
18.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括選擇包括如下中的一種或多種的第一選擇性膜:聚合物、泡沸石、金屬、金屬有機骨架和/或陶瓷。
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