[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280077240.0
• 申請(qǐng)日: 2012-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105144363B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王堅(jiān);賈照偉;王暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/321;H01L21/3205
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有介質(zhì)層的硅片；

在介質(zhì)層上形成第一凹槽區(qū)和非凹槽區(qū)，第一凹槽區(qū)用于形成互連結(jié)構(gòu)；

在介質(zhì)層上形成第二凹槽區(qū)，第二凹槽區(qū)用于形成虛擬結(jié)構(gòu)；

沉積阻擋層以覆蓋第一和第二凹槽區(qū)、以及非凹槽區(qū)；

沉積金屬層，金屬層填滿第一和第二凹槽區(qū)并覆蓋非凹槽區(qū)上；

將非凹槽區(qū)上的金屬層去除以暴露阻擋層，其中去除金屬層包括先采用化學(xué)機(jī)械拋光的方法將部分金屬層去除，后用電化學(xué)拋光的方法將余下的金屬層去除，以及虛擬結(jié)構(gòu)阻止阻擋層被氧化；

將非凹槽區(qū)上的阻擋層去除以暴露介質(zhì)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)形成在介質(zhì)層的場(chǎng)區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)的密度是硅片上互連結(jié)構(gòu)密度的50％-100％。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硅片上兩相鄰近的互連結(jié)構(gòu)和虛擬結(jié)構(gòu)間的間距W1為20nm-5000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)的尺寸為20nm-5000nm，其中，虛擬結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度Dl為20nm-5000nm，虛擬結(jié)構(gòu)的寬度Dw為20nm-5000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)形成在介質(zhì)層上相鄰兩金屬線之間寬廣區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述寬廣區(qū)域的寬度W3大于或等于60nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)形成在介質(zhì)層上孤立的金屬線的兩邊區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)的密度是硅片上互連結(jié)構(gòu)密度的20％-80％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)具有一種或多種不同形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)與互連結(jié)構(gòu)同時(shí)形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述虛擬結(jié)構(gòu)的材料與互連結(jié)構(gòu)的材料相同。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使用XeF2氣相刻蝕的方法去除阻擋層。