[發明專利]具有改善的吸收率的半透明的光電陰極

有效

• 申請號: 201280076211.2
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN104781903A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 格特·努茨澤爾;帕斯卡爾·拉武特
• 申請（專利權）人: 法國甫托尼公司
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J40/06;H01J40/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

1.一種用于光子檢測器的半透明的光電陰極(1)，包括：

透明的支撐層(10)，其具有接收所述光子的正面(11)以及相對的背面(12)，以及

光電發射層(20)，其設置在所述背面(12)上并且具有相對的發射面(22)，旨在從所述支撐層(10)接收所述光子并且響應地從所述發射面(22)發射光電子，

其特征在于，所述光電陰極(1)包括能夠使所述光子衍射的傳輸衍射光柵(30)，其設置在所述支撐層(10)中并且位于所述背面(12)處。

2.根據權利要求1所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述衍射光柵(30)在所述支撐層(10)的背面(12)中被蝕刻。

3.根據權利要求1或2所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述衍射光柵(30)由周期布置的圖案(31)形成，所述圖案(31)填充有以下材料，該材料的光學指數不同于所述支撐層(10)的材料。

4.根據權利要求3所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述衍射光柵(30)被設置為使得通過與所述支撐層(10)的背面(12)齊平來至少部分地對所述支撐層(10)的背面(12)進行限界。

5.根據權利要求3所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述材料的層直接設置在所述背面上，以與所述圖案連續。

6.根據權利要求4或5所述的光電陰極(1)，其特征在于，

擴散勢壘被設置在所述衍射光柵和所述光電發射層之間。

7.根據權利要求1至6任一項所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電陰極(1)包括能夠使所述光子衍射的至少另一衍射光柵(40)，其位于所述支撐層(10)中，并且設置在所述第一衍射光柵(30)的附近、由沿與所述第一光柵的圖案的方向不同的方向的周期布置的圖案(41)形成。

8.根據權利要求7所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述第一光柵和所述另一衍射光柵(40)位于相同平面并且借由二維圖案來制作。

9.根據權利要求1至8任一項所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電發射層(20)包括銻以及至少一個堿金屬。

10.根據權利要求8所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電發射層(20)由選自SbNaKCs,SbNa₂KCs,SbNaK,SbKCs,SbRbKCs或者SbRbCs的材料制成。

11.根據權利要求1至8任一項所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電發射層(20)由AgOCs形成。

12.根據權利要求1至11任一項所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電發射層(20)具有實質上恒定的厚度。

13.根據權利要求12所述的光電陰極(1)，其特征在于，

所述光電發射層(20)具有小于或等于300nm的厚度。

14.一種光子檢測光學系統，其包括權利要求1至13任一項所述的光電陰極(1)，以及用于響應于由所述光電陰極(1)發射的光電子而發射輸出信號的輸出裝置。

15.根據權利要求14所述的光學系統，其中所述光學系統為EB-CCD或EBCMOS型的圖像倍增管或光電倍增管。