[發明專利]響應于潛在干擾的存在刷新一組存儲器單元

有效

• 申請號: 201280076140.6
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN104685571A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 達雷爾·N·埃莫特
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C11/4063
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴芬;宋志強

背景技術

存儲器設備包括用于存儲數據值的存儲器單元。示例類型的存儲器設備是動態隨機存取存儲器(DRAM)設備。隨著存儲器制造技術進步，存儲器單元的特征尺寸減小，以增大存儲器設備中存儲器單元的密度。增大存儲器單元的密度提供存儲器設備中增加的存儲容量。

附圖說明

關于下圖描述一些實施例：

圖1是包括一些實現方式的示例存儲器設備的框圖；

圖2和圖3圖示根據一些實現方式的在存儲器設備中使用的檢測電路的不同示例；

圖4是根據一些實現方式的示例系統的框圖；以及

圖5是根據一些實現方式的干擾管理過程的流程圖。

具體實施方式

隨著存儲器設備的存儲器單元由于減小特征尺寸而變得更密集，存儲器單元會變得對可能損壞在存儲器單元中存儲的數據的各種噪聲源更加靈敏。一種噪聲源包括由數據存取操作引起的干擾，其中對一組存儲器單元執行的數據存取操作可能引起至少另一組存儲器單元的干擾。

在一些示例中，存儲器設備可以是動態隨機存取存儲器(DRAM)設備，其具有由存儲電容器和存取晶體管形成的存儲器單元，存取晶體管可以被激活或被去激活來控制各個存儲電容器的存取。存儲電容器存儲與相應數據值(例如“0”或“1”)對應的電壓。盡管在下面的介紹中參考DRAM設備，但是注意，根據一些實現方式的技術或機制還可以應用于其它類型的存儲器設備。

在DRAM設備中，數據存取操作可以激活一組(例如，一排)存儲器單元，從該組中提取內容，以及將內容歸還至該組存儲器單元。激活該組存儲器單元和歸還該組存儲器單元中的內容的過程可以導致對相鄰一組單元的干擾。

例如，對一排存儲器單元執行的數據存取操作可以干擾相鄰一排(或相鄰多排)存儲器單元。對于特定一排存儲器單元而言，對相鄰多排存儲器單元的重復數據存取操作可能導致對該特定一排存儲器單元的重復干擾。這種重復的干擾可能導致在該特定一排的至少一個存儲器單元中存儲的數據值改變，這造成數據損壞。例如，如果存儲器單元存儲與“0”或“1”數據值對應的電壓，那么由多次重復干擾導致的該存儲器單元內的電壓改變可能足以造成由該電壓表示的數據值從“0”改變為“1”或者從“1”改變為“0”。

圖1是具有存儲器單元的布置102的存儲器設備100的框圖。如圖所示，存儲器單元的布置102被分成多組存儲器單元。這些組包括組X和與組X相鄰的相鄰組X-1和X+1。其它相鄰組包括組X-2和X+2，組X-2和X+2各自距離組X一個組。

在一些示例中，一“組”存儲器單元包括一排(或一頁)存儲器單元。在其它示例中，一組可以包括多排存儲器單元，或存儲器單元的任何其它集合。一般概念是一組存儲器單元可能由于對至少一個相鄰組的存儲器單元執行的數據存取操作而被干擾。“數據存取操作”或“數據的存取”指對存儲器單元的數據進行存取的操作，該操作作為讀操作和/或寫操作的部分。對存儲器設備的特定存儲器單元執行的數據存取操作不同于一次擦除一塊內所有存儲器單元中包含的電荷的擦除操作。

圖1還示出用于特定組的存儲器單元(在圖1的示例中其是組X)的檢測電路104。注意，類似的檢測電路可以與存儲器設備100中的其它組關聯。

響應于對至少一個相鄰組的存儲器單元執行的至少一次數據存取，更新檢測電路104。例如，在圖1中，響應于在組X-2、X-1、X+1和X+2的任一組中執行的數據存取，可以更新檢測電路104。“更新”檢測電路可以指改變檢測電路104的狀態。如下面關于圖2進一步解釋的，更新檢測電路104可以涉及推進(advancing)計數器。可替代地，更新檢測電路104可以涉及改變被布置為讀取一個或多個感應存儲器單元(下面關于圖3進一步介紹)的感應電路的狀態。

當檢測電路104已經改變至指示組X中存儲器單元的潛在干擾存在的狀態時，檢測電路104激活干擾指示106。在一些示例中，干擾指示106可以是信號，其具有指示沒有組X的干擾的第一狀態和指示組X的潛在干擾的不同的第二狀態。