[發明專利]涂覆及接合襯底的方法

有效

• 申請號: 201280076109.2
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN104661786B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: M.溫普林格;B.雷班
• 申請（專利權）人: EV集團E·索爾納有限責任公司
• 主分類號: B23K20/02
• 分類號: B23K20/02;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 朱君,劉春元

1.一種經由沉積第一材料而對第一襯底(1)涂覆第一擴散接合層(5)的方法，所述第一材料在所述第一襯底(1)的第一表面(1o)上形成所述第一擴散接合層(5)，以使所述第一擴散接合層(5)形成具有小于1 μm的與所述第一表面(1o)平行的平均粒直徑H的粒表面，其中在所述第一擴散接合層(5)和所述第一襯底（1）之間形成至少一個另外的中間層(5'、5")，并且其中所述另外的中間層(5')具有平行于所述第一表面（1o）的較大的平均粒直徑H'以及橫向于所述第一表面（1o）的較大平均粒直徑V'。

2.如權利要求1的方法，其中所述第一擴散接合層(5)在所述粒表面上橫向于所述第一表面(1o)形成小于1 μm的平均粒直徑V。

3.如權利要求2的方法，其中所述平均粒直徑V小于100 nm。

4.如權利要求3的方法，其中所述平均粒直徑V小于10 nm。

5.如權利要求4的方法，其中所述平均粒直徑V小于1 nm。

6.如權利要求1的方法，其中所述第一擴散接合層(5)是橫向于第一表面(1o)以小于1 μm的平均厚度t施加。

7.如權利要求6的方法，其中所述平均厚度t小于100 nm。

8.如權利要求7的方法，其中所述平均厚度t小于10 nm。

9.如權利要求8的方法，其中所述平均厚度t小于1 nm。

10.如上述權利要求1-9之一的方法，其中所述另外的中間層(5'、5")經由電化學沉積過程制得。

11.如上述權利要求1-9之一的方法，其中所述第一擴散接合層(5)是經由物理氣相沉積和/或化學氣相沉積制得。

12.一種用于將按照權利要求1至11中任一項涂覆的第一襯底(1)與具有第二擴散接合層的第二襯底(3)接合的方法，其具有以下步驟：

使所述第一襯底(1)的第一擴散接合層(5)與所述第二襯底(3)的第二擴散接合層接觸，

將所述襯底(1、3)壓在一起形成所述第一及第二襯底(1、3)間的永久金屬擴散接合。

13.如權利要求12的方法，其中所述永久金屬擴散接合具有大于1.5 J/m²的接合強度。

14.如權利要求13的方法，其中所述接合強度大于2 J/m²。

15.如權利要求14的方法，其中所述接合強度大于2.5 J/m²。

16.如權利要求12的方法，其中所述壓在一起是在0.1和10 MPa之間的壓力下進行。

17.如權利要求12至16之一的方法，其中制成第一和/或第二擴散接合層(5)，以使所述擴散接合層作為固體擴散而發生。

18.如權利要求17的方法，其中所述擴散接合層作為晶界擴散而發生。

19.如權利要求12至16之一的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在室溫和500℃之間的溫度下發生。

20.如權利要求19的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在室溫和200℃之間的溫度下發生。

21.如權利要求20的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在室溫和150℃之間的溫度下發生。

22.如權利要求21的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在室溫和100℃之間的溫度下發生。

23.如權利要求22的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在室溫和50℃之間的溫度下發生。

24.如權利要求19的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在至多12天期間發生。

25.如權利要求24的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在至多1天期間發生。

26.如權利要求25的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在至多1小時期間發生。

27.如權利要求26的方法，其中永久金屬擴散接合的形成是在至多15分鐘期間發生。