[發(fā)明專利]用于阻擋膜的涂層及制備和使用其的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280075205.5
• 申請(qǐng)日: 2012-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN104540676B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 托馬斯·P·克倫;蘇賴斯·艾耶爾;艾倫·K·納赫蒂加爾;約瑟夫·C·斯帕尼奧拉;馬克·A·勒里希
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號(hào): B32B27/08
• 分類號(hào): B32B27/08;B32B37/00;C08J5/18;G09F9/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219
• 代理人: 張爽,郭國清

1.一種阻擋膜，其包括：

基底；

在所述基底的主表面上的基礎(chǔ)(共)聚合物層；

在所述基礎(chǔ)(共)聚合物層上的氧化物層；以及

在所述氧化物層上的保護(hù)性(共)聚合物層，

其中所述保護(hù)性(共)聚合物層包含作為以下物質(zhì)的反應(yīng)產(chǎn)物形成的(共)聚合物：

第一(甲基)丙烯酰化合物，和

源自第二(甲基)丙烯酰化合物與氨基硅烷之間的邁克爾反應(yīng)的(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物，

任選地其中所述第一(甲基)丙烯酰化合物與所述第二(甲基)丙烯酰化合物相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻擋膜，其還包含在所述基礎(chǔ)(共)聚合物層上的所述氧化物層與所述保護(hù)性(共)聚合物層的多個(gè)交替的層。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的阻擋膜，其中所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物由下式表示：

(R_m)_x-R¹-(R²)_y

其中

x和y各自獨(dú)立地為至少1；

R_m為包含式–X^2-C(O)C(R³)＝CH₂的(甲基)丙烯酰基基團(tuán)，其中X²為-O、-S或–NR³，其中R³為H或C₁-C₄；

R¹為共價(jià)鍵、多價(jià)亞烷基、(聚)環(huán)亞烷基、雜環(huán)基、或亞芳基基團(tuán)或它們的組合，所述亞烷基基團(tuán)任選地含有一個(gè)或多個(gè)鏈中氧或氮原子，或羥基側(cè)基；

R²為含硅烷基團(tuán)，其源自氨基硅烷與下式的丙烯酰基團(tuán)之間的邁克爾反應(yīng)：

–X^2-C(O)CH₂CH₂-N(R⁴)-R⁵-Si(Y_p)(R⁶)_3-p

其中：

X²為-O、-S或–NR³，其中R³為H或C₁-C₄烷基，

R⁴為C₁-C₆烷基或環(huán)烷基或-R⁵-Si(Y_p)(R⁶)_3-p或(R_m)_x-R¹-X²-C(O)-CH₂CH₂-，

R⁵為二價(jià)亞烷基基團(tuán)，所述亞烷基基團(tuán)任選地含有一個(gè)或多個(gè)鏈中氧或氮原子，

Y為可水解基團(tuán)，其選自烷氧基基團(tuán)、乙酸根基團(tuán)、芳氧基基團(tuán)和鹵素，

R⁶是單價(jià)烷基或芳基基團(tuán)，并且

p為1、2或3。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的阻擋膜，其中所述第一(甲基)丙烯酰化合物和第二(甲基)丙烯酰化合物選自二(甲基)丙烯酸三環(huán)癸烷二甲醇酯、甲基(甲基)丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羥基-丙酯、三丙烯酰氧基乙基異氰脲酸酯、二(甲基)丙烯酸甘油酯、乙氧基化三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(5,5)甘油基二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(3)三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化(6)三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯以及它們的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻擋膜，其中所述(甲基)丙烯酰化合物為：

并且所述(甲基)丙烯酰基-硅烷化合物為以下中的至少一種：