[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280070478.0
• 申請(qǐng)日: 2012-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN104137244B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遠(yuǎn)井茂男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有：

半導(dǎo)體元件，其具有在俯視觀察時(shí)直線地形成的多個(gè)柵極、與所述多個(gè)柵極絕緣的發(fā)射極圖案、以及在所述發(fā)射極圖案上形成的發(fā)射極電極，并且形成為主電流經(jīng)由所述發(fā)射極圖案流向所述發(fā)射極電極；

第1焊點(diǎn)，其形成在所述發(fā)射極電極的一部分上；

第2焊點(diǎn)，其與所述第1焊點(diǎn)隔離地形成在所述發(fā)射極電極的一部分上；以及

端子，其經(jīng)由所述第1焊點(diǎn)以及所述第2焊點(diǎn)與所述發(fā)射極電極連接，

所述半導(dǎo)體元件具有形成有所述第1焊點(diǎn)的第1焊點(diǎn)區(qū)域、形成有所述第2焊點(diǎn)的第2焊點(diǎn)區(qū)域、以及所述第1焊點(diǎn)區(qū)域和所述第2焊點(diǎn)區(qū)域之間的區(qū)域即中間區(qū)域，

所述第1焊點(diǎn)區(qū)域的所述柵極的密度、所述第2焊點(diǎn)區(qū)域的所述柵極的密度和所述中間區(qū)域的所述柵極的密度相等，

所述半導(dǎo)體元件形成為，所述中間區(qū)域的所述主電流的電流密度低于所述第1焊點(diǎn)區(qū)域以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域的所述主電流的電流密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

對(duì)于俯視觀察時(shí)的每個(gè)單位面積中的所述發(fā)射極圖案和所述發(fā)射極電極的接觸面積，與所述第1焊點(diǎn)區(qū)域以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域相比，所述中間區(qū)域中的所述接觸面積較小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在所述中間區(qū)域中的所述發(fā)射極圖案的雜質(zhì)密度，低于所述第1焊點(diǎn)區(qū)域中的所述發(fā)射極圖案的雜質(zhì)密度以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域中的所述發(fā)射極圖案的雜質(zhì)密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

具有基極層，該基極層與所述柵極接觸而形成，通過對(duì)所述柵極施加電壓而導(dǎo)電型反轉(zhuǎn)，

所述中間區(qū)域中的所述基極層的雜質(zhì)密度，高于所述第1焊點(diǎn)區(qū)域中的所述基極層的雜質(zhì)密度以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域中的所述基極層的雜質(zhì)密度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

與所述第1焊點(diǎn)區(qū)域、以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域的所述主電流的路徑相比，所述中間區(qū)域的所述主電流的路徑的晶格缺陷較多。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述中間區(qū)域的所述主電流的路徑的電阻率，高于所述第1焊點(diǎn)區(qū)域的所述主電流的路徑的電阻率以及所述第2焊點(diǎn)區(qū)域的所述主電流的路徑的電阻率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述中間區(qū)域的寬度大于或等于所述第1焊點(diǎn)區(qū)域或者所述第2焊點(diǎn)區(qū)域的寬度的一半。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體元件是縱型IGBT，在其正面形成有所述發(fā)射極電極，在其背面形成有所述集電極電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體元件由寬帶隙半導(dǎo)體形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導(dǎo)體是碳化硅、氮化鎵類材料或者金剛石。