[發明專利]含銅納米晶及其制備方法有效
| 申請號： | 201280070407.0 | 申請日： | 2012-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN104136375A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發明（設計）人： | 丁志峰;賈法龍;戴夫·盧夫;米揚英·歐;丹尼爾·瓦卡雷諾;艾米·塔普利 | 申請（專利權）人： | 西安大略大學 |
| 主分類號： | C01G3/00 | 分類號： | C01G3/00;B01F17/00;C01B17/00;C01B19/00;C01G15/00;C01G19/00;C01G9/00;H01L31/0264;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京華睿卓成知識產權代理事務所(普通合伙) 11436 | 代理人： | 程淼 |
| 地址： | 加拿大安大略省倫敦*** | 國省代碼： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種形成無機納米顆粒的方法，所述無機納米顆粒包含銅、硫和任選的硒以及第一其它金屬或第一和第二其它金屬，該方法包括通過以下步驟來形成所述納米顆粒：使Cu1+和Cu2+中的一種或另一種或兩者、所述第一其它金屬的化合物或所述第一和第二其它金屬的化合物以及硫脲在式為ArSH的封蓋劑和還原溶劑體系以及任選的硒源存在下反應，以形成含有納米顆粒的混合物。
2.權利要求1的方法，其中所述納米顆粒包括所述第一和第二金屬，并且所述第一金屬為錫，所述第二金屬為鋅。
3.權利要求2的方法，其中所述第一金屬的化合物為SnCl2、SnBr2、SnF2、SnI2、Sn(NO3)2、Sn(ClO4)2、SnSO4、醋酸錫(II)、醋酸錫(II)水合物、乙酰丙酮錫(II)和三(三氟甲烷磺酰亞胺)錫(II)中的一種或更多種。
4.權利要求2的方法，其中所述第一金屬的化合物為SnCl4、SnBr4、SnF4、SnI4、Sn(NO3)4、Sn(ClO4)4、Sn(SO4)2、醋酸錫(IV)、醋酸錫(IV)水合物、乙酰丙酮錫(IV)和三(三氟甲烷磺酰亞胺)錫(IV)中的一種或更多種。
5.權利要求2至4中任何一項的方法，其中所述第二金屬的化合物為ZnCl2、ZnBr2、ZnF2、ZnI2、Zn(NO3)2、Zn(ClO4)2、ZnSO4、醋酸鋅(II)、醋酸鋅(II)水合物、乙酰丙酮鋅(II)和三(三氟甲烷磺酰亞胺)鋅(II)中的一種或更多種。
6.權利要求2至5中任何一項的方法，其中所述納米顆粒包含Cu2ZnSnS4。
7.權利要求2至5中任何一項的方法，其中所述納米顆粒包括硒，并且硒源為H2SeO3、H2SeO4、Na2SeO3、Na2Se、H2Se、Na2SeO4、Na2SSeO3和H2SSeO3中的一種或更多種。
8.權利要求2至5和7中任何一項的方法，其中所述納米顆粒包含Cu2ZnSn(S(1-x)Sex)4，其中0≤x≤1。
9.權利要求8的方法，其中x為約0.25、0.5或0.75。
10.權利要求1的方法，包括形成包含銅、硫和所述第一其它金屬的無機納米顆粒，其中所述第一其它金屬為錫。
11.權利要求10的方法，其中所述第一金屬的化合物為SnCl2、SnBr2、SnF2、SnI2、Sn(NO3)2、Sn(ClO4)2、SnSO4、醋酸錫(II)、醋酸錫(II)水合物、乙酰丙酮錫(II)和三(三氟甲烷磺酰亞胺)錫(II)中的一種或更多種。
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