[發(fā)明專利]等離子體發(fā)生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280069371.4 | 申請日: | 2012-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN104206026B | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宮本誠;竹之下一利;山田幸香;寺尾芳孝;平井伸岳 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/24 | 分類號: | H05H1/24;A61L9/22;F24F7/00;H01T23/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 發(fā)生 裝置 | ||
1.一種等離子體發(fā)生裝置,具有一對電極,在所述一對電極的面對表面的至少一側(cè)提供有電介質(zhì)膜,該等離子體發(fā)生裝置用于在所述一對電極之間施加預(yù)定電壓以放電等離子體,其中流體循環(huán)孔分別提供在各電極的相應(yīng)位置處且穿過所述電極,并且當(dāng)預(yù)定電壓被施加在所述一對電極之間時,等離子體僅在所述一對電極之間形成所述流體循環(huán)孔的開口端部中發(fā)生,
其中形成所述流體循環(huán)孔的所述開口端部之間的面對距離小于除了所述開口端部之外的部分之間的面對距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中在形成所述流體循環(huán)孔的每個所述開口端部的至少部分處的所述電介質(zhì)膜的厚度厚于除了所述開口端部之外的部分處的所述電介質(zhì)膜的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體發(fā)生裝置,其中在每個所述開口端部的全部圓周上形成的所述電介質(zhì)膜的厚度厚于除了所述開口端部之外的部分處的所述電介質(zhì)膜的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體發(fā)生裝置,其中在每個所述開口端部處的所述電介質(zhì)膜的所述厚度與在除了所述開口端部之外的所述部分處的所述電介質(zhì)膜的所述厚度之差為1μm至500μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中用于防止等離子體發(fā)生的等離子體發(fā)生防止構(gòu)件提供在各電極的除了形成所述流體循環(huán)孔的所述開口端部之外的部分中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件提供在與形成每個所述流體循環(huán)孔的開口端相距0μm至500μm的范圍外。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件提供在除了所述一對電極之間的所述開口端部之外的所有部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件由具有30或更低的相對介電常數(shù)的低介電材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件被壓向每個電極的所述面對表面或所述電介質(zhì)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述一對電極通過所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件彼此粘合。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述等離子體發(fā)生防止構(gòu)件插設(shè)且固定在所述一對電極之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中在所述面對表面上形成所述流體循環(huán)孔的每個所述開口端部形成有環(huán)形凸起部分,并且所述電介質(zhì)膜提供在形成有所述環(huán)形凸起部分的所述面對表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述電介質(zhì)膜僅形成于在所述面對表面上形成所述流體循環(huán)孔的每個所述開口端部中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中吹風(fēng)機構(gòu)提供在所述流體循環(huán)孔的上游或下游,并且由所述吹風(fēng)機構(gòu)將風(fēng)吹入所述流體循環(huán)孔中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中所述電介質(zhì)膜通過濺射形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體發(fā)生裝置,其中施加到每個電極的所述電壓形成脈沖形狀,其峰值設(shè)置在100V至5000V的范圍內(nèi),并且脈沖寬度設(shè)置在0.1μs至300μs的范圍內(nèi)。
17.一種等離子體發(fā)生裝置,該等離子體發(fā)生裝置具有一對電極,在所述一對電極的面對表面的至少一側(cè)提供有電介質(zhì)膜,且該等離子體發(fā)生裝置用于在所述電極之間施加預(yù)定電壓以放電等離子體,流體循環(huán)孔分別提供在各電極的相應(yīng)位置處且穿過所述電極,同時過孔與所述流體循環(huán)孔分離地提供在一側(cè)的電極中,并且所述過孔在其面對表面?zhèn)鹊拈_口處被另一側(cè)的電極阻擋,
其中等離子體僅發(fā)生在所述一對電極之間形成所述流體循環(huán)孔的開口端部、形成所述過孔的開口端部、和與其面對的部分中,
其中形成所述流體循環(huán)孔的開口端部之間的面對距離以及形成過孔的開口端部和與其面對的電介質(zhì)膜之間的面對距離小于除了所述開口端部之外的部分之間的面對距離。
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