[發明專利]側排型基板處理裝置

有效

• 申請號: 201280068840.0
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN104105813B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 梁日光;宋炳奎;金勁勛;申良湜
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/455;H01L21/205
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東

技術領域

這里公開的本發明涉及基板處理裝置，并且更具體地涉及側排型基板處理裝置。

背景技術

半導體裝置及平板顯示器都使用許多薄膜沉積處理以及蝕刻處理來制造。也就是，通過沉積處理在一基板上形成薄膜，然后通過蝕刻處理使用掩膜去除薄膜的不必要部分。因此，在該基板上形成所期望的預定圖案或電路裝置。

沉積處理可在真空狀態下的處理腔室內執行。將基板裝入處理腔室內。將噴灑頭布置在該基板的上方，以將處理氣體供應到該基板上。該處理氣體沉積于該基板上以形成所期望的薄膜。

沉積處理與一排放處理一起執行。在該排放處理中，在沉積處理中產生的處理副產品以及未反應氣體都排出到外面。

發明內容

技術問題

本發明提供一種側排型基板處理裝置。

本發明也提供一種這樣的基板處理裝置，該基板處理裝置通過均勻的排氣而確保沉積在基板上的薄膜的均勻性。

參閱下列詳細說明以及附圖將可清楚本發明的另外的其它目的。

技術方案

本發明的實施方式提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括：腔室本體，該腔室本體具有打開的上側，該腔室本體提供一內部空間，在該內部空間中對于基板進行處理；腔室蓋，該腔室蓋布置在所述腔室本體的上部，以關閉所述腔室本體的所述打開的上側；以及噴灑頭，該噴灑頭布置在所述腔室蓋的下部，以朝向所述內部空間供應處理氣體，其中，所述腔室本體包括：至少一個會聚口，該會聚口沿著所述腔室本體的側壁的內側布置，以允許所述內部空間內的處理氣體會聚；多個內部排氣孔，這多個內部排氣孔沿著所述腔室本體的所述側壁限定，以與所述會聚口及所述內部空間連通；以及多個內部排氣口，這多個內部排氣口連接至所述會聚口。

在一些實施方式中，所述基板處理裝置還可以包括一承座，所述基板被裝載在該承座的頂面上，該承座能通過其升高而在裝置位置與處理位置之間改變位置，所述基板在所述裝載位置被裝載，在所述處理位置執行與所述基板相關的處理，并且所述內部排氣孔可以被布置在處于所述處理位置的所述承座的上部與所述噴灑頭之間。

在其它實施方式中，所述腔室本體可以具有限定于其側壁內的通道，以允許所述基板通過該通道進入所述內部空間中，并且所述會聚口與所述內部排氣孔都可布置在所述通道的上方。

在又其它實施方式中，根據與所述內部排氣口的相隔距離，所述內部排氣孔可以具有彼此不同的直徑。

在甚至其它實施方式中，所述內部排氣孔的直徑可以與和所述內部排氣口的相隔距離成比例。

在另外其它實施方式中，所述基板處理裝置還可以包括布置于所述會聚口上的分配環，該分配環具有多個分配孔。

在其它實施方式中，根據與所述內部排氣口的相隔距離，所述分配孔可以具有彼此不同的直徑。

在又其它實施方式中，所述分配孔的直徑可以與和所述內部排氣口的相隔距離成比例。

在甚至其它實施方式中，所述分配孔可以分別布置在所述內部排氣孔之間。

在又其它的實施方式中，所述會聚口可以具有環形形狀。

在更進一步的實施方式中，所述會聚口可以從所述腔室本體的頂面凹入。

在又更進一步的實施方式中，所述基板處理裝置還可以包括口蓋，所述口蓋關閉所述會聚口的打開的上側。

在甚至更進一步的實施方式中，所述基板處理裝置還可以包括：多個外部排氣口，這多個外部排氣口分別穿過所述腔室本體的外部連接至所述內部排氣口；以及主口，該主口連接至所述外部排氣口。

在又更進一步的實施方式中，所述基板處理裝置還可以包括：流動控制閥，這些流動控制閥分別被布置在所述外部排氣口上，以控制通過所述外部排氣口排出的處理氣體的流率；以及控制器，該控制器連接至所述流動控制閥以控制這些流動控制閥，由此均勻地調整處理氣體的排放量。

有益效果

本發明通過側排方式，將處理副產品和未反應氣體排出到處理腔室的外部，特別是通過均勻的排放能夠確保沉積于基板上的薄膜的均勻性。

附圖說明

在此包括附圖來進一步了解本發明，并且這些附圖并入以及構成此說明書的一部分。這些附圖示出了本發明的示例性實施方式，并且與說明書一起用于解釋本發明原理。在附圖中：

圖1為根據本發明的實施方式的基板處理裝置的示意圖；

圖2為示出了圖1中的內部排氣孔、分配環以及內部排氣口的剖面圖；

圖3為示出了圖1中的一腔室本體的下部的視圖；

圖4和圖5為示出了處理氣體的流動的視圖；以及