[發(fā)明專利]防止混合存儲器模塊被映射在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280068621.2 | 申請日: | 2012-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN104094240A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | D.G.卡彭特;W.C.哈洛韋爾;C.M.貝盧薩;J.W.金賽;R.V.貝努戈帕爾;R.M.巴克斯 | 申請(專利權(quán))人: | 惠普發(fā)展公司;有限責(zé)任合伙企業(yè) |
| 主分類號: | G06F12/00 | 分類號: | G06F12/00;G06F13/14 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王洪斌;徐紅燕 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防止 混合 存儲器 模塊 映射 | ||
背景技術(shù)
存儲指令或數(shù)據(jù)的任何設(shè)備需要存儲器,并且具有兩種廣泛類型的存儲器:易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器在其失去電力或電力未被周期性地得到補充時丟失其存儲的數(shù)據(jù)。然而,非易失性存儲器在沒有連續(xù)或周期性電力供應(yīng)的情形下保留信息。
隨機訪問存儲器(“RAM”)是一種類型的易失性存儲器。只要RAM的期望單元的地址是已知的,RAM可以被采用任何次序訪問。動態(tài)隨機訪問存儲器(“DRAM”)是一種類型的RAM。電容器被用于把存儲器比特存儲在DRAM中,并且電容器可以被周期性地補充電力以維持高電子狀態(tài)。因為DRAM電路是小的且廉價的,所以其可以被用作用于計算機系統(tǒng)的存儲器。
閃存是一種類型的非易失性存儲器,并且閃存可以采用塊或頁面的方式被訪問。例如,閃存的頁面可以在一個操作或一個“閃爍”中被擦除。對閃存的訪問與對DRAM的訪問相比較是相對慢的。如此,閃存可以被用作用于計算機系統(tǒng)的長期或持續(xù)的存儲器。
附圖說明
為了詳細描述各種示例,對附圖的參考現(xiàn)在將被做出,其中:
圖1圖示了依據(jù)至少一些示例的防止混合存儲器模塊被映射的系統(tǒng);
圖2圖示了依據(jù)至少一些示例的防止混合存儲器模塊被映射的方法;以及
圖3圖示了依據(jù)至少一些示例的防止混合存儲器模塊被映射的方法。
具體實施方式
非預(yù)期的電力故障可以導(dǎo)致在易失性存儲器中存儲但沒有在非易失性存儲器中存儲的重要數(shù)據(jù)的丟失。如此,包含易失性存儲器和非易失性存儲器的混合存儲設(shè)備(其中非易失性存儲器充當易失性存儲器的備份)將緩解由于非預(yù)期的電力故障引起的丟失。然而,當電力恢復(fù)時,應(yīng)注意:如果所述存儲設(shè)備是正常情況下須經(jīng)歷初始化過程的存儲設(shè)備(諸如,雙列直插式存儲器模塊(“DIMM”)),則不要讓非易失性存儲器與易失性存儲器一起被初始化。否則,初始化過程將在數(shù)據(jù)可以從非易失性存儲器被恢復(fù)之前蓋寫非易失性存儲器上的數(shù)據(jù)。防止這種數(shù)據(jù)蓋寫的一種方式是防止非易失性存儲器被映射到用于初始化存儲器的存儲器映射。如果非易失性存儲器未被映射,則其將被從初始化過程中排除,并且其數(shù)據(jù)將不被蓋寫。如此,數(shù)據(jù)可以在電力故障之后被恢復(fù)。
圖1圖示了包括混合存儲器模塊104的系統(tǒng)100,所述混合存儲器模塊104包括易失性存儲器106和非易失性存儲器108。圖1的系統(tǒng)100依據(jù)至少一些示例防止混合存儲器模塊104被映射。系統(tǒng)100還可以包括處理器102,其可以被稱為中央處理單元(“CPU”)。處理器102可以被實現(xiàn)為一個或多個CPU芯片,并且可以執(zhí)行指令、代碼和計算機程序。
處理器102可以被耦合到混合存儲器模塊104,并且所述混合存儲器模塊104可以包括動態(tài)隨機訪問存儲器(“DRAM”)和閃存。DRAM可以是易失性存儲器106,因為數(shù)據(jù)的每個比特可以被存儲在電容器內(nèi),所述電容器被周期性地供電以保留所述比特。使用一個或多個晶體管存儲比特的閃存可以是非易失性存儲器108。在各種示例中,其它類型的易失性存儲器和非易失性存儲器被使用。
混合存儲器模塊104可以被耦合到存儲器控制器110,其可以包括通過調(diào)度對存儲器的讀取和寫入來管理數(shù)據(jù)流的電路邏輯。存儲器控制器110可以包括用于把一組存儲器地址映射到另一組存儲器地址并且記錄舊的和新的數(shù)據(jù)的位置的存儲器映射112。存儲器映射112可以包括數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),諸如,數(shù)組、鏈接列表、表格或數(shù)據(jù)庫。在至少一個示例中,存儲器控制器110可以被與處理器102集成。
在至少一個示例中,混合存儲器模塊104可以包括DIMM。如此,易失性和非易失性存儲器二者可以在相同的DIMM上被提供,并且由相同的存儲器控制器110控制。在至少一個示例中,總的DIMM存儲器的一半可以被實現(xiàn)為易失性存儲器106,以及一半可以被實現(xiàn)為非易失性存儲器108。在各種其它示例中,易失性存儲器106與非易失性存儲器108的比可以是除了相等之外的量。混合DIMM可以在沒有來自適配硬件的協(xié)助的情形下適應(yīng)電子設(shè)備的DIMM插槽。
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