[發明專利]非易失性存儲器裝置及對此裝置編程的方法

有效

• 申請號: 201280068501.2
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN104081462B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: H.V.特蘭;H.Q.阮;A.利;T.吳
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: G11C11/00
• 分類號: G11C11/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 俞華梁,姜甜

1.一種非易失性存儲器裝置，包括：

電荷泵，用于提供編程電流；

非易失性存儲器單元的陣列，其中每一存儲器單元以所述編程電流編程；所述非易失性存儲器單元的陣列被劃分為多個單位，其中每一單位包括多個存儲器單元；

指示器存儲器單元，其與每一單位的非易失性存儲器單元關聯；

計數器電路，用于對被編程的每個單位的存儲器單元的數量進行計數，所述計數器電路包含包括時鐘脈沖發生器的數字'0'比特檢測器，所述'0'比特檢測器被配置為順序檢驗關于'0'比特的被編程比特；以及

編程電路，用于當每一單位的某一比例或更少的所述存儲器單元將被編程時，使用所述編程電流對每一單位的所述存儲器單元進行編程，并且用于當多于每一單位的所述某一比例的存儲器單元將被編程時，使用所述編程電流對每一單位的所述存儲器單元的逆以及與每一單位關聯的所述指示器存儲器單元進行編程。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，還包括：

多個讀出放大器，一個讀出放大器連接至某一單位的各個非易失性存儲器單元用于感測所述非易失性存儲器單元的狀態；

指示器讀出放大器，其連接至所述指示器存儲器單元用于感測與被感測的所述單位關聯的所示指示器存儲器單元的狀態；

邏輯電路，用于在所述指示器讀出放大器感測到所述指示器存儲器單元的狀態處于一個狀態的情況下輸出所述多個讀出放大器的狀態；以及用于在所述指示器讀出放大器感測到所述指示器存儲器單元的狀態處于另一狀態的情況下輸出所述多個讀出放大器的反狀態。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述非易失性存儲器單元的陣列成多行多列布置，其中指示器存儲器單元的陣列在行方向上與所述非易失性存儲器單元的陣列相鄰設置，其中一個指示器存儲器單元與相同行上的多個存儲器單元關聯。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述非易失性存儲器單元的陣列成多行多列布置，其中指示器存儲器單元的陣列在列方向上與所述非易失性存儲器單元的陣列相鄰設置，其中一個指示器存儲器單元與相同列上的多個存儲器單元關聯。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器單元的每個包括：

第一導電類型的半導體襯底，其具有平坦表面；

在所述平坦表面上的第二導電類型的第一區域；

在所述平坦表面上的所述第二導電類型的第二區域，其與所述第一區域間隔開，其中溝道區域位于所述第一區域與所述第二區域之間；

浮柵，與所述溝道區域的第一部分間隔開；

字線，在所述浮柵一側與其相鄰，與所述浮柵絕緣，并且與所述溝道區域的第二部分間隔開；

擦除柵，在所述浮柵另一側與其相鄰，與所述浮柵絕緣，并且與所述第二區域間隔開；以及

耦合柵，位于所述浮柵之上，與所述浮柵間隔開，并且位于字線和所述擦除柵之間并且與其絕緣。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述某一比例為百分之五十。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，還包括數字式‘0’位檢測器。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述數字式‘0’位檢測器包括時鐘脈沖發生器并且基于計時的順序數字式‘0’位檢測。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，還包括模擬‘0’位檢測器。

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述模擬‘0’位檢測器基于電流偏置的單位進行檢測。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述電流偏置為微安級。

12.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器陣列還包括多個存儲器子陣列。

13.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中沒有用于編程的存儲器單元的每一子陣列使編程偏置被禁能。