[發明專利]變化的多層憶阻器件

無效

• 申請號: 201280068485.7
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN104081524A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 趙世泳
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 宋穎娉;康泉

1.一種變化的多層憶阻器件包括：

第一憶阻器件，堆疊在第二憶阻器件上；

其中所述第二憶阻器件的物理參數不同于所述第一憶阻器件的物理參數，以應對在所述憶阻器件的形成工藝期間所呈現的熱預算差異，并獲得特定的性能參數。

2.根據權利要求1的器件，其中所述物理參數包括以下至少一種：高摻雜區域的厚度、本征區域的厚度、金屬層的厚度、材料的類型以及堆疊順序。

3.根據權利要求1的器件，其中所述第二憶阻器件的高摻雜區域具有比所述第一憶阻器件的摻雜區域小的厚度。

4.根據權利要求1的器件，其中所述第一憶阻器件的所述物理參數和所述第二憶阻器件的所述物理參數的偏差被改變，以實現所述第一憶阻器件和所述第二憶阻器件之間處于預定容差水平內的相似性能。

5.根據權利要求1的器件，其中所述第一憶阻器件的所述物理參數和所述第二憶阻器件的所述物理參數的偏差被改變，以實現所述的第一憶阻器件和所述第二憶阻器件之間處于預定容差水平內的特定性能差異。

6.根據權利要求1的器件，其中所述性能參數包括以下至少一種：電流水平、非線性度以及操作電壓。

7.根據權利要求1的器件，進一步包括堆疊在所述第二憶阻器件上的附加憶阻器件，所述附加器件中每一個的物理參數不同于其他器件的物理參數，以應對在所述憶阻器件的形成工藝期間所呈現的熱預算差異，并獲得特定的性能參數。

8.根據權利要求1的器件，其中所述第一憶阻器件的金屬層不同于所述第二憶阻器件的金屬層以補償所述憶阻器件的形成之間的刻蝕差異。

9.一種用于制造變化的多層憶阻器件的方法，該方法包括：

形成具有第一組物理參數的第一憶阻層；以及

形成具有不同于所述第一組參數的第二組物理參數的第二憶阻層；

其中所述第一組參數和所述第二組參數之間的差異是為了應對在所述憶阻器件的形成工藝期間所呈現的熱預算差異，以獲得特定的性能參數。

10.根據權利要求9的方法，其中參數的所述組包括以下至少一個：高摻雜區域的厚度、本征區域的厚度、金屬層的厚度、材料的類型以及堆疊順序。

11.根據權利要求9的方法，其中所述第二憶阻器件的高摻雜區域具有比所述第一憶阻器件的摻雜區域小的厚度。

12.根據權利要求9的方法，其中所述第一組參數和所述第二組參數之間的差異用于實現所述第一憶阻器件和所述第二憶阻器件之間處于預定容差水平內的相似性能。

13.根據權利要求9的方法，其中所述第一組參數和所述第二組參數之間的差異用于實現所述第一憶阻器件和所述第二憶阻器件之間處于預定容差水平內的特定性能差異。

14.根據權利要求9的方法，其中所述性能參數包括以下至少一種：電流水平、非線性度以及操作電壓。

15.一種多層憶阻交叉結構包括：

包括具有第一組物理參數的憶阻器件的陣列的第一層；以及

包括具有第二組物理參數的憶阻器件的第二陣列的第二層；

其中所述第一組參數和所述第二組參數之間的差異用于應對在所述憶阻器件的形成工藝期間所呈現的熱預算差異，以獲得特定的性能參數。